Схемы, платы, компоненты

..они появятся там в режиме насыщения, дэдушкой клянусЪ: Обычный (без ДШ) транзистор n-p-n загоняем глубоко в режим насыщения. Ток базы достаточно большой, а прямые напряжения на p-n переходах, как эмитерном, так и коллекторном примерно равны. Направления инжекции: 1. электроны из эмиттера в базу 2. электроны из коллектора в базу 3. дырки из базы в коллектор (!) Основной поток, конечно, первый, поскольку эмиттер легирован в большей степени (на то он и эмиттер). 2 и 3 - источники неосновных носителей как в базе, так и в коллекторе и уровень их инжекции повышается именно в режиме насыщения. Вот дырки в коллекторе (3) и будут являться неосновными носителями и накапливаться в нем. Во-о-от...