Микроконтроллеры

хе-хе-хе ;О)... ну про нагрузочную кривую я и говорю, кстати. Попробуй на 10в и 10к нагрузки получить ток коллектора 2мА. Хоть Днепрогэсс впердоль транзюку в базу, них не выйдет. ;О) Эмиттер носителей(своих, основных, для К и Э инжектирует в базу, а оттудова их высасывает коллектор, ессно, потому коллектор так и зовётся. Просто писать было лень, а результат налиццо - больше чем ток в нагрузке, через коллектор не уйдёт. Я не зря говорю о таком параметре как эффективность эмиттера. Инжекцыонная способность эмиттера практически не зависит от состояния коллектора. База у нас тонкая, ОПЗ КБ выгребает ностиели из её в коллектор(с меньшей эффективностью, канешна, чем в линейном режыме). И потенцыалл его приближается к эмиттерному - можеш померять цетиком ;О). До эмиттерного он не опускаецца потому, что начинается встречная инжекцыя носителей из коллектора(можно считать что идёт и дрейф из подэмиттерной базы, снижая эффективность эмиттера, но подэмиттерная база слишком тонка(микроны и их доли) а длина высока(сотни микрон), чтобы в ней дрейфовало вбок такое кол-во носителей, и напряжённость поля в базе хоть и небольшая, но всё-же от эмиттера в коллектор - Uce-sat), и устанавливаецца динамицское равновесие между током базы, б-эмиттера и б-коллектора. поэтому впердоливая больший ток в базу, получаем большую инжекцыю в коллектор(через базу ;О)из эмиттера и большее снижение потенцыалла КЭ(вызываюсчее большую встречную инжекцыю в базу). У лутших образцов транзисторов - десятки милливольт. Вот поэтому нельзя в моём примере получить 2мА. Только про снижение h21 не надо, оно само по себе не снижается, ему механизьм нужен. А механизьм двумя строками выше. И вообще, этот параметр не из физики работы транзистора, а из теории четырёхполюсников. И описывать с его помощью физику некорректно.Мягко говоря ;О)