=mse= (11.02.2005 14:36, просмотров: 1) ответил =AK= на Ой, блин, еще один?Тут, блин на каждую вашу фразу устанешь реагировать ;О) ++ Эмиттер инжектирует их в базу, а не в коллектор, это вообще азы. Часть инжектированныхз носителей (неосновных для базы) пролетают (тонкую) базу насквозь, не успевая рекомбинировать, и затем высасывается из базы коллектором. В коллекторе никакого избытка/недостатка нет, все что он отсосал из базы - тут же усвистывает в колекторную цепь (нагрузку)
Разница между активным режимом и режимом насыщения состоит только в том, какова эта часть. Пока режим активный - основня часть пролетает в коллектор, малая часть ответвляется в базу. В насыщении - все меньшая часть попадает в коллектор. Не меньший ток (!) попадает в коллектор, отнюдь, ток коллектора продолжает даже слегка возрастать, когда мы транзистор загоняем в насыщение, увеличивая ток базы. Но процентное отношение к эмиттерному току начинает резко падать - это и есть насыщение.
ну про то, что всё что попало в коллектор и усвистело в нагрузку ;О). Например 10В и 10К. В нагрузку усвистит только 1мА. А ток базы (рекомбинаццыонный ;О) позволяет прокачать 100мА, например. И эмиттер спокойно может инжектировать такой ток. Где у вас механизм ограничения инжекции из эмиттера? Почему "все меньшая часть попадает в коллектор"? То попадала всё большая, а тут стала "всё меньшая", чего это она уменьшилась? рекомбинаццыя в базе возросла? С какого? или транзистор на бумажку с коллекторными хар-ками посмотрел? ;О)
"процентное отношение к эмиттерному току начинает резко падать" с какого хрена оно начинает падать? Потому что на бумажке характеристики нарисованы, а в паспорте цыферьки написаны? ;О)
Мы с блэкбитом дали физику процесса, а вы зарисовки из даташита. Но зарисовки основаны на физике, а не на бумаге. ;О)
-
- Ерунда =AK=(626 знак., 11.02.2005 16:15)
- Да ладно вам, ;О) если бы так просто всё было... =mse=(524 знак., 11.02.2005 17:14)
- Ерунда =AK=(626 знак., 11.02.2005 16:15)