Уважаемый, ;О) на этой "теории" основано конструирование полупроводниковых структур "теоретиками", вроде блэкбита, меня... ну и ещё всякими бездельниками из ПП компаний ;О) т.к. я по образованию и должон был бысть как раз разработчиком ПП приборов, а блэкбит, судя по всему, им и был. И там эти эффекты встают в полный рост. Невооружённым глазом. Даже на третьем-четвёртом курсе, на лабах. И учёт/неучёт этих эффектов позволяет либо создать рабочую структуру, либо как всегда.
Эберсом-Моллом и прочими Гуммелями-Пунами пользуются составители Спиче-подобных библиотек, того уровня абстракций хватает вполне. А "лишними сущностями" - разработчики ПП приборов. Они им строить и жыть помогают. ;О) Кстати, рассчёт обычной ВАХ диода - это формула на двух листах мелким почерком. Транзистора - ещё больше. И там есть всё - диффузионные профили, конфигураццыи и прочая, прочая, прочая. Если есть интерес, обратитесь к первоисточнику, Зи. Если нет, то нет. Для рассчёта усилителя хватит и выходных характеристик, для рассчёта структуры - формулы на двух листах. Каждому - своё. НО! не зная сути происходящего, нельзя было придумать ТТЛШ и тот самый диод. Так что "лишних сущностей" не бывает. И если даже вы не параноик, это не значит, что ОНИ за вами не следят. ;О)