Микроконтроллеры

;О) не, ну а в насыщении производная какая? Ещё меньше. Ку-по-току медленно-медленно меняецца от, скажем 15-20 при входе, до 8-10 в самом насыщении. Резко Ку-по-току не меняется, ессно. Он, вообще, резко меняется вблизи оптимального Ик, а потом монотонно спадает что в малые токи, что в большие, да и то на протяжении декад. В интернете я Зи смог надыбать только там, но сервер не откликацца ftp://193.233.87.20/pub/books/new Есть вариант тех. библиотеки у вас рядом, т.к. книги достаточно дорогие - около сотни баксов. название я давал гидэ-то здесь. "при малом прямом напряжении на коллекторном переходе", насколько малом? В насыщении коллекторный переход работает с инжекцыей в базу качественно так-же как и эммитерный, при соотв смещении. И гонит туда, ессно, неосновных(для базы) носителей, они там и копятся. И рассасываются за микро/наносекунды, создавая известные проблемы. Основные же носители релаксируют за время порядка 1е-12...-15 сек. Нам они, собственно, здесь и неинтересны. Сам механизьм я качественно описал уже не раз. И разницу между инжекцыей из эмиттера и коллектора - тоже. " В случае коллекторного перехода это, очевидно, должно означать, что имеет смысл говорить об инжекции (основных носителей?) из базы в коллектор, а не наоборот". Ну я уже об этом тоже говорил - инжекцыонная способность эмиттера практически не меняется от состояния коллекторного перехода. И, если, смещение на базе(базовый ток) позволяет эмиттеру инжектировать сквозь базу в коллектор столько-то, то он инжектирует. Причём практицски всё инжектированное попадает в коллектор. Даже при насыщении, в тонкой базе напряжённость поля десятки кВ/м, и носители из эмиттера успевают продрейфовать в сторону коллектора за наносекунды и их десятыи. Вопрос в том, что коллекторный ток ограничен . И избыточные носители: а)смещают КБ впрямь; б)начинают инжектироваться в базу(а больше и некуда, иначе бы потенцыалл коллектора ушол бы в минуса, для н-п-н, ;О). В базе они становятся: а)неосновными; б)попадая в пассивные области с малой напряжённостью поля, накапливаются, рекомбинируют, вызывая ток базы(отжирая его эмиттерную составляюсчую, уменьшают инжекцыю из эмиттера, приводя систему в равновесное состояние). Занавес. Но лутьше всё это читать в первоисточнике. Да и то, если интересно. Я, например, это знаю только по долгу службы ;О).