caxapa.ru :: Смотрим на 1Гбит 65 нм чип - предыдущий. Скорость 80 нс. Тактовая 104 Мгц для burst, 7 нс на такт, но 75 нс латентность. Эдакий CL=10 против типового CL=3 для памяти PC100. Burst 16 слов, слова по 16 бит, 32 байта

Evgeny_CD, Архитектор (16.11.2010 16:43, просмотров: 119) ответил FDA на Вопрос в технологии. Для начала надо сделать, а применение всегда можно найти.

Смотрим на 1Гбит 65 нм чип - предыдущий. Скорость 80 нс. Тактовая 104 Мгц для burst, 7 нс на такт, но 75 нс латентность. Эдакий CL=10 против типового CL=3 для памяти PC100. Burst 16 слов, слова по 16 бит, 32 байта - в 2 раза больше типовой кеш лайн. Так что заменить SDRAM для кода этим не получится, и практический смысл от меня ускользает.

S29NS-R_00_04_e.pdf

Ответить

- С нетерпением ждем от Вас цикла статей на тему: "NOR Flash уходят в никуда! NAND Flash - наше фсё!! Теорема и доказательство!!! См. пп. №№.. => =>" и пр. фуете.. :)) - quark(17.11.2010 07:03)
  - Вынужден разочаровать своих фанатов - гуру к такому выводу не пришел, и написать цикл статей не может. - Evgeny_CD(17.11.2010 11:00)

Средства и методы разработки