gamma (06.12.2011 13:31, просмотров: 110) ответил Evgeny_CD на Вижу толко адын шт флешовый....-
- О! Спасибо! И User manual там уже лежат... -> Вот бы еще на свежую Errata глянуть... - Evgeny_CD(06.12.2011 16:15 - 16:21)
- Сколько ж они жрать будут, если на борту не LDO для питания ядра, а DC/DC? Ж8-O - Dir(06.12.2011 16:08)
- В DS по ссылке - 30 ма. DC-DC - это еще и КПД. А получить высокую эффективность на малых токах - это не просто, вот они и вставили его для этих целей. - Evgeny_CD(06.12.2011 16:17, ссылка)
- На 204МГц 30мА? От 3,3В? Слабо верится. Но если так, то могли бы и Ehternet-овский PHY внутрь запихнуть. - Dir(06.12.2011 16:24)
- Да вот и я не догоняю насчет 30 ма. - Evgeny_CD(06.12.2011 16:45)
- В принципе возможно, конечно. 90nm - это ядро на 1,2В. Так вроде? Синхронный понижающий DC/DC с 3,3В на 1,2В может дать КПД до 90%. Т.е потребление 1,2В логики вполне может быть ~70...80мА. Dir(372 знак., 06.12.2011 17:02)
- 800+ страниц доки курить надо. Kinetis как раз и жрет о ядру 60-70ма (по доке). Так что примерно сходится. - Evgeny_CD(06.12.2011 17:10)
- В принципе возможно, конечно. 90nm - это ядро на 1,2В. Так вроде? Синхронный понижающий DC/DC с 3,3В на 1,2В может дать КПД до 90%. Т.е потребление 1,2В логики вполне может быть ~70...80мА. Dir(372 знак., 06.12.2011 17:02)
- Да вот и я не догоняю насчет 30 ма. - Evgeny_CD(06.12.2011 16:45)
- На 204МГц 30мА? От 3,3В? Слабо верится. Но если так, то могли бы и Ehternet-овский PHY внутрь запихнуть. - Dir(06.12.2011 16:24)
- В DS по ссылке - 30 ма. DC-DC - это еще и КПД. А получить высокую эффективность на малых токах - это не просто, вот они и вставили его для этих целей. - Evgeny_CD(06.12.2011 16:17, ссылка)