ВходНаше всё Теги codebook 无线电组件 Поиск Опросы Закон Среда
10 июля
335788 Топик полностью
rezident (18.06.2012 02:48, просмотров: 148) ответил Dragons на В прилагаемой схеме 6Y - это VT2. Прозованивал его. Звонится как доиды, однинаковое сопротивление по предполагаемым Б-Э и Б-К. Безымянный транзистор в правой части схемы - фототранзистор.
MMBFJ177LT1 это P-канальный JFET, если вы не заметили. Он вполне вписывается в функциональность вашей схемы как динамическая нагрузка (управляемое напряжением сопротивление) для фототранзитора. У JFET, в отличие от MOSFET затвор изолирован P-N переходом, а не слоем окисла. Кроме того, у JFET канал "приоткрыт" и имеется начальный сток стока (при 0-м напряжении между затвором и истоком). Поэтому вполне возможно, что прозванивается тестером он как симметричная сборка диодов. Тем более, что по даташиту у MMBFJ177LT1 сопротивление открытого канала составляет порядка 300Ом, что примерно соответствует значению сопротивления, которое показывает обычный тестер (мультиметр) при прозвонке кремниевых диодов. Чтобы проверить его исправность, нужно на его затвор относительно истока подать напряжение (по модулю) больше максимального значения параметра VGS(off), полевик при этом закроется. Если же замкнуть затвор и исток, то полевик будет работать источником тока со значением в районе 7,5мА, если верить типовым характеристикам графика Figure 1. Drain Current vs. Drain−Source Voltage из даташита (ветка VGS=0). Попутное замечание. Коль вы уже идентифицировали микросхему как TL064, то было бы нагляднее рисовать ее на схеме в виде 4-х отдельных ОУ, а не как прямоугольник с 14-ю выводами.