Выглядит логично: плотности упаковки, рост стоимости и т.п. Но с другой стороны есть у атмела такая апнота AVR101: High Endurance EEPROM Storage, в которой говорится:
By having a circular buffer (O-buffer) in EEPROM it is possible to increase the number
of times that a parameter can be stored in EEPROM. If the buffer has two levels the
number of times that the parameter can be stored is twice the endurance of one single
EEPROM cell: 200 k erase/writes. By using this approach it is possible to increase the
number of times a parameter can be stored by increasing the O-buffer size. In other
word, the idea is to distribute the storage of the parameter over several EEPROM
locations to achieve increased parameter storage endurance. When using the O-
buffer approach the parameter storage endurance equal the number of memory loca-
tions used in the O-buffer times the endurance of a single EEPROM location.
И так далее...
Если eeprom стирается странично, то аппнота - чушь, атмел нас обманывает. Или ваши доводы не соответствуют действительности.
Apтём (01.08.2012 23:20 - 02.08.2012 00:12, просмотров: 216) ответил 3m на Из того что честная побайтная запись крайне расточительна по плотности упаковки и следовательно стоимости кристалла. А зачем платить больше если можно сделать страничную а юзеру вдувать что "побайтово" ?