ВходНаше всё Теги codebook 无线电组件 Поиск Опросы Закон Вторник
6 мая
О смысле всего сущего0xFF Средства и методы разработки Мобильная и беспроводная связь Блошиный рынокОбъявления
МикроконтроллерыPLD, FPGA, DSP AVRPICARM, RISC-VТехнологии Кибернетика, автоматика, протоколы Схемы, платы, компоненты
394622 Топик полностью
MBedderтерминатор (14.03.2013 21:57, просмотров: 108) ответил Скрипач на И то, и то, и то PN-переход. Да, разительно отличается по характеристикам, но принципы одни и те же. ЛЮБОЙ PN-переход можно вывести в режим электического (восстановимого) пробоя. В разных, естественно, числовых параметрах, но и только.
Излучающая полупроводниковая гетероструктура - хоть прямо-, хоть обратносмещенная - разительно отличается от простейшего неизлучающего PN-перехода благодаря целой обойме побочных эффектов 
Ответить