night_light (18.07.2013 13:31, просмотров: 103) ответил rezident на Q=C*U. I=dQ/dt=C*dU/dt => dt=C*dU/I, где C - емкость нагрузки (суммарная самого выхода, линии связи и входа нагрузки), dU=(0,9-0,1)*Vcc, а I - выходной ток буфера.
C = 18 пФ (ключ) + 2 пФ (монтаж грубо) + 10 пФ (вход клока микросхемы памяти) = 0,03 х 10^-9 Ф; dU = 0,8 х 3,3 В = 2,64 В; I - определяется микросхемой перед буфером (MC100ES60T23), у нее ток КЗ 185 мА, есть надежда, что 100 мА на зарядку всех емкостей через 10-омный ключ она обеспечит. Итого, dt = 0,03 х 10^-9 * 2,64 / 0,1 = 0,8 нс.
Вроде так. Должно хватить и в 2 раза меньшего тока.