caxapa.ru :: А для MOSFET важен минимальный ток через канал? Я что-то не понимаю. Но для JFET транзисторов он указывается в даташите (Idss min). А на базе MOSFET же делают операционные усилители, да и на базе биполярных транзисторов тоже. И там токи на

fk0, легенда (19.08.2013 16:26, просмотров: 119) ответил koyodza на транзистор должен быть в линейном режиме, поэтому нет разницы JFET или MOSFET со встроенным каналом (с индуцированным не годится), всё равно нужен некоторый начальный ток через канал

А для MOSFET важен минимальный ток через канал? Я что-то не понимаю. Но для JFET транзисторов он указывается в даташите (Idss min). А на базе MOSFET же делают операционные усилители, да и на базе биполярных транзисторов тоже. И там токи на порядки меньше, например. Как этого добиваются? И почему вообще так? Без минимального протекающего тока JFET выходит, стало быть, из линейного режима по-току, так? Но MOSFET же оперирует напряжением и ток там нужен только для зарядки ёмкости, которые могут быть пренебрежительно (для низких частот) малы, стало быть можно построить микропотребляющий усилитель. Другое дело, что микрофон с воот-таким выходным сопротивлением (мегаомы, например) на длинный провод работать вообще не сможет. Это, наверное, причина ещё одна, почему делают как делают (да и питание по тому же одному проводу). А если мне нужен микрофон прямо к выводам ОУ? Или я могу усилитель размесить рядом с микрофоном и запитать отдельными проводами? Совсем другая история.

[ZX]

Ответить

- ты похоже вообще не понимаешь как работает транзистор. Минимальный ток здесь нужен не транзистору, а аналоговому сигналу, который является колебаниями различной амплитуды и полярности. Вот чтобы иметь разную полярность и нужен начальный ток koyodza(678 знак., 19.08.2013 16:50)
  - вощемто там начальное напряжение то совсем не нулевое. электрет он хранит фиксированный заряд. V₀=Q/C₀. под влиянием колебаний меняется C => меняется и V (Vgs) в каких то пределах вокруг V₀. - Snaky(19.08.2013 17:04)
    - речь не об V₀, а об Ids₀ - koyodza(19.08.2013 17:25)
      - я имею ввиду что MOSFET с индуцированным каналом может быть этим напряжением смещен в область где I_DS0 > 0, и тогда ничто не мешает ему работать с разнополярным сигналом. тогда рассуждения fk0 имеют смысл. - Snaky(19.08.2013 17:43)
        
        всё верно, только попасть в имеющее смысл значение Ids₀ таким способом, да ещё и без ООС, будет очень непросто - koyodza(19.08.2013 17:47)
  - Ну и выходное сопротивление каскада тоже не должно быть слишком высоким... - Гудвин(19.08.2013 17:03)
- Вопрос в чём. Есть же ОУ с токами в микроамперы. Что мешает ОУ разместить внутри микрофона или же разместить ОУ рядом с микрофоном непосредственно, а транзистор внутри микрофона заменить на MOSFET. Будет работать? Но не совсем понятно какие fk0(482 знак., 19.08.2013 16:38)
  - MOSFET точно так же может работать при околонулевых напряжениях, только нужен обедненного типа (depletion mode) - Shura(19.08.2013 16:39)
    - Почему так не делают? Для MOSFET значение силы тока уже не будет критичным? Пусть это будет не 0.5мА, как для MOSFET, а 10мкА, например. Будет работать, теоретически хотя бы? - fk0(19.08.2013 16:44)
      - походу, при таком токе крутизна характеристики совсем никакая будет. - Mahagam(19.08.2013 17:28)
      - Должно работать, почему нет - Shura(19.08.2013 17:06)
        
        P.S. Fig. 1(a) illustrates the basic microphone circuit showing a depletion-mode MOSFET as the buffer device - Shura(19.08.2013 17:10, ссылка)
      - Будет, но частотка сильно пострадает из-за неизбежности увеличения номинала нагрузочного резистора. Кроме того, кажется, DMFET шумят гораздо сильнее необедненных - MBedder(19.08.2013 16:50)

Схемы, платы, компоненты