Микроконтроллеры

Для особо одарённых -- это публичная телеконференция, и высказываюсь я значит публично, а тратить время отвечая лично вам на ваши письма я не намерен. Поэтому вопрос "зачем вам" оставьте при себе. Это не вам. Я возражаю против утверждения, мол EEPROM это "очень удобное для хранения всяких переменных". Обращение с EEPROM мало чем отличается от обращения с другими типами памяти, побайтовая запись -- что-то притянутое за уши, тем более, что её в современных EEPROM и нет. Откуда утверждение о NAND: NOR flash обычно позволяет записывать 1->0 без необходимости перезаписи. У AT45DB же какие-то странности в этом вопросе: "Successive page programming operations, without doing a page erase, are not recommended. In other words, changing bytes within a page from a “1” to a “0” during multiple page programming operations without erasing that page is not recommended." Не непонятно, multiple -- это сколько точно? Хотя может быть разница в том, что у SST25, например, запись честно побайтовая, а у AT45DB всегда постраничная. Вот одно и то же в одно место multiple times и пишется. Может оно и для NOR было бы нехорошо, но у SST25 такое просто не может произойти (если записываются последовательно байты в страницу).