-
- В наиболее распространенных случаях, когда схема датчика не содержит значительных реактивностей, никаких специальных решений не предполагается. Характеристика Ii=100 мА требует всего лишь, чтобы это значение ни при каких условиях не превышалось. А Михаил Пушкарев(755 знак., 23.10.2013 19:31, )
- Спасибо, Михаил! По Ui все понятно предельно ясно. 0men(404 знак., 23.10.2013 19:46 - 19:49)
- Если применен барьер с Po=0,75 Вт, то мощность, которая может выделиться в элементах схемы датчика, уже никогда не превысит этой величины. Другое дело, что для температур окружающей среды не более 80 градусов и категории взрывоопасной смеси IIC Pi Михаил Пушкарев(115 знак., 23.10.2013 19:55, )
- Предположим, датчик с уровнем взрывозащиты ia IIC имеет Ui=30В, смотрим в таблицу допустимого тока короткого замыкания из ГОСТ Р МЭК 60079-11-2010 и из него находим, что Ii=100мА, что и указываем в входных параметрах датчика. Правильно? 0men(304 знак., 23.10.2013 21:08 - 21:12)
- Правильный ход мысли. Не стоит только, к примеру, устанавливать Ui=60 В без крайней к тому необходимости. Уж очень не оптимальным станет набор параметров, трудно реализуемым. Для датчиков с выходным сигналом 4-20 мА подавляющая масса барьеров Михаил Пушкарев(593 знак., 23.10.2013 21:22, )
- Михаил, еще один вопрос. рассмотрим простейший пример. Предположим, нога микроконтроллера управляет полевиком, который коммутирует нагрузку. Уровень ia IIC, входные параметры: Ui=28B, Ii=100mA, Pi=750mB. Для обеспечения искрозащиты необходимо 0men(288 знак., 28.10.2013 14:29)
- В какой зоне находятся микроконтроллер и полевой транзистор? Если оба в составе взрывозащищенного устройства в взрывоопасной зоне, то искробезопасность должна обеспечиваться полноценным барьером искрозащиты, находящимся в взрывобезопасной зоне. В Михаил Пушкарев(525 знак., 28.10.2013 15:30, )
- Полноценный барьер стоит из шунтирующих стабилитронов, схему отправил. Все стоит во взрывоопасной зоне - 0men(28.10.2013 15:35 - 15:39)
- Письма нет. - Михаил Пушкарев(28.10.2013 16:10, )
- повторил.. - 0men(28.10.2013 16:18)
- Письма нет. - Михаил Пушкарев(28.10.2013 16:10, )
- Полноценный барьер стоит из шунтирующих стабилитронов, схему отправил. Все стоит во взрывоопасной зоне - 0men(28.10.2013 15:35 - 15:39)
- В какой зоне находятся микроконтроллер и полевой транзистор? Если оба в составе взрывозащищенного устройства в взрывоопасной зоне, то искробезопасность должна обеспечиваться полноценным барьером искрозащиты, находящимся в взрывобезопасной зоне. В Михаил Пушкарев(525 знак., 28.10.2013 15:30, )
- Михаил, еще один вопрос. рассмотрим простейший пример. Предположим, нога микроконтроллера управляет полевиком, который коммутирует нагрузку. Уровень ia IIC, входные параметры: Ui=28B, Ii=100mA, Pi=750mB. Для обеспечения искрозащиты необходимо 0men(288 знак., 28.10.2013 14:29)
- Правильный ход мысли. Не стоит только, к примеру, устанавливать Ui=60 В без крайней к тому необходимости. Уж очень не оптимальным станет набор параметров, трудно реализуемым. Для датчиков с выходным сигналом 4-20 мА подавляющая масса барьеров Михаил Пушкарев(593 знак., 23.10.2013 21:22, )
- Предположим, датчик с уровнем взрывозащиты ia IIC имеет Ui=30В, смотрим в таблицу допустимого тока короткого замыкания из ГОСТ Р МЭК 60079-11-2010 и из него находим, что Ii=100мА, что и указываем в входных параметрах датчика. Правильно? 0men(304 знак., 23.10.2013 21:08 - 21:12)
- Если применен барьер с Po=0,75 Вт, то мощность, которая может выделиться в элементах схемы датчика, уже никогда не превысит этой величины. Другое дело, что для температур окружающей среды не более 80 градусов и категории взрывоопасной смеси IIC Pi Михаил Пушкарев(115 знак., 23.10.2013 19:55, )
- Спасибо, Михаил! По Ui все понятно предельно ясно. 0men(404 знак., 23.10.2013 19:46 - 19:49)
- В наиболее распространенных случаях, когда схема датчика не содержит значительных реактивностей, никаких специальных решений не предполагается. Характеристика Ii=100 мА требует всего лишь, чтобы это значение ни при каких условиях не превышалось. А Михаил Пушкарев(755 знак., 23.10.2013 19:31, )