Argon (24.02.2014 22:15, просмотров: 16004)-
- Интеллектуальные ключи при перенапряжениях же открываются? А предохранители наоборот перегорают. - fk0(25.02.2014 09:36)
- "перенапряжение" - это, вроде, из другой оперы. я имел ввиду защиту от КЗ, т.е. по току. Argon(302 знак., 25.02.2014 09:50)
- У всех интеллектуальных ключей, которые я видел, нет как таковой защиты от КЗ. Ключ выключается при увеличении температуры кристалла выше +150С. Затем остывает - и включается обратно. Т.е. если вам нужно цепь быстро разомкнуть, такой вариант не Alex B.(11 знак., 25.02.2014 10:28)
- у ключей от IRF по даташитам есть и over-temperature и over-current shutdown. ну и включение обратно после ресета (ресет это Vin < порога на Treset мксек) - Argon(25.02.2014 10:37)
- оно есть, но механизм там один и тот же - выключается по перегреву. поглядите на RON - оно относительно немаленькое по сравнению с прочими современными MOSFET-ами, чтобы он на overcurrent греться мог. - Snaky(25.02.2014 10:39)
- жулики, блин! ) Хотя вроде есть и с датчиком тока -> - Argon(25.02.2014 10:48 - 10:54, ссылка)
- Эти после аварийного выключения по току сами не сбрасываются - нужно вручную передергивать ногу "IN" - MBedder(25.02.2014 11:35)
- жулики, блин! ) Хотя вроде есть и с датчиком тока -> - Argon(25.02.2014 10:48 - 10:54, ссылка)
- оно есть, но механизм там один и тот же - выключается по перегреву. поглядите на RON - оно относительно немаленькое по сравнению с прочими современными MOSFET-ами, чтобы он на overcurrent греться мог. - Snaky(25.02.2014 10:39)
- у ключей от IRF по даташитам есть и over-temperature и over-current shutdown. ну и включение обратно после ресета (ресет это Vin < порога на Treset мксек) - Argon(25.02.2014 10:37)
- Нагрузка может быть индуктивной. И там будет и превышение тока, и превышение напряжения. Диод есть в любом транзисторе: их для того встречно-параллельно включают, затворы параллельно соединяют. - fk0(25.02.2014 10:05)
- Превышение напряжения при разрыве индуктивной нагрузки купируется диодом. А ток каким образом может быть превышен? - Argon(25.02.2014 10:15)
- У всех интеллектуальных ключей, которые я видел, нет как таковой защиты от КЗ. Ключ выключается при увеличении температуры кристалла выше +150С. Затем остывает - и включается обратно. Т.е. если вам нужно цепь быстро разомкнуть, такой вариант не Alex B.(11 знак., 25.02.2014 10:28)
- "перенапряжение" - это, вроде, из другой оперы. я имел ввиду защиту от КЗ, т.е. по току. Argon(302 знак., 25.02.2014 09:50)
- Если там есть диод, то прямой ток возможен всегда - непонятно как собираетесь осуществить защиту от КЗ. - Ralex(25.02.2014 03:49)
- и действительно... - Argon(25.02.2014 08:13)
- от переполюсовки у мну защищает crowbar protection как бонус к защите от высокого входного. - Snaky(25.02.2014 02:27)
- Надо проверить, что защита от КЗ (читай, компаратор) будет работать при обратном токе. - amusin_(24.02.2014 22:40,
)
- так вроде и не должно его быть, обратного тока... - Argon(24.02.2014 22:46)
- Что понимать под защитой от переполюсовки? У мосфета внутри ключа есть паразитный диод. - KLIM83(24.02.2014 22:29)
- вот это -> - Argon(24.02.2014 22:34, картинка)
- Используем такие схемы защита от переполюсовки. У нее есть один нюанс. Канал у FET симметричный. Если он открыт, то ему без разницы в какую сторону через него течет ток. При наличии в нагрузке емкости значительной величины она не успевает быстро ВВП(154 знак., 24.02.2014 23:45)
- Не понял чем плох обратный ток и почему мосфет должен дать дуба. Имеется ввиду, что протекание значительного тока при околонулевых напряжениях на клеммах губительно для полузакрытого мосфета? Тогда втекание тока при просто низком напряжении fk0(159 знак., 25.02.2014 09:33)
- При переполюсовке ток течет через схему. Через все ее защитные диоды, которые при нормальном включении обратносмещены, а при переполюсовке прямосмещены. Подайте на питание любого МК напряжение штатного номинала, но в обратной полярности и ВВП(24 знак., 25.02.2014 10:04)
- Когда ток начинает течь через защитные диоды, то напряжение уже такое, что транзистор должен быть закрыт. - fk0(26.02.2014 13:31)
- При переполюсовке ток течет через схему. Через все ее защитные диоды, которые при нормальном включении обратносмещены, а при переполюсовке прямосмещены. Подайте на питание любого МК напряжение штатного номинала, но в обратной полярности и ВВП(24 знак., 25.02.2014 10:04)
- Это да. В защите полевых девайсов от переполюсовки отказался от такого решения именно по этой причине - Vit(25.02.2014 00:29)
- о, это не есть гуд... - Argon(24.02.2014 23:58)
- Не понял чем плох обратный ток и почему мосфет должен дать дуба. Имеется ввиду, что протекание значительного тока при околонулевых напряжениях на клеммах губительно для полузакрытого мосфета? Тогда втекание тока при просто низком напряжении fk0(159 знак., 25.02.2014 09:33)
- Защита "вверх дыбом" - Vit(24.02.2014 23:42, ссылка)
- ну да, оно и есть - Argon(24.02.2014 23:43)
- при переполюсовке просто не пущает. Нижний умный ключ завсегда N-MOS, а верхние обычно опять же N-MOS, ну и вольтдобавка впридачу - Vit(24.02.2014 23:46)
- ну да, оно и есть - Argon(24.02.2014 23:43)
- Нагрузка запитана через паразитный диод. Как это поможет от КЗ в нагрузке, если паразитный диод всегда пропускает ток и перекрыть его нельзя? - KLIM83(24.02.2014 23:29 - 23:38)
- канал-то открыт при верной полярности - Argon(24.02.2014 23:37)
- А при неверной ток через нагрузку течёт через диод. - KLIM83(24.02.2014 23:39)
- как это? диод-то встречный - Argon(24.02.2014 23:42)
- Встречный при правильной полярности становится попутным при неправильной, так? - KLIM83(25.02.2014 00:07)
- При корректном включении прямосмещенный боди-диод дополнительно шунтируется открытым каналом MOSFET. При неправильном включении боди-диод смещен обратным напряжением, а канал закрыт. - ВВП(25.02.2014 00:25)
- нэт, схему посмотрите выше и файл, к-рый Vit приложил - Argon(25.02.2014 00:14)
- Пример: возьмём ключ нижнего уровня IPS1021, подключим по схеме fig. 4 в даташите. Теперь поменяем полярность источника питания. Ток через ключ течёт, ибо паразитный диод в структуре, о чём я и говорил. - KLIM83(25.02.2014 17:33, ссылка)
- да вы лыка не вяжете. причем здесь типовая схема включения этого ключа на fig4? - Argon(26.02.2014 09:34)
- Пример: возьмём ключ нижнего уровня IPS1021, подключим по схеме fig. 4 в даташите. Теперь поменяем полярность источника питания. Ток через ключ течёт, ибо паразитный диод в структуре, о чём я и говорил. - KLIM83(25.02.2014 17:33, ссылка)
- Встречный при правильной полярности становится попутным при неправильной, так? - KLIM83(25.02.2014 00:07)
- как это? диод-то встречный - Argon(24.02.2014 23:42)
- А при неверной ток через нагрузку течёт через диод. - KLIM83(24.02.2014 23:39)
- канал-то открыт при верной полярности - Argon(24.02.2014 23:37)
- Используем такие схемы защита от переполюсовки. У нее есть один нюанс. Канал у FET симметричный. Если он открыт, то ему без разницы в какую сторону через него течет ток. При наличии в нагрузке емкости значительной величины она не успевает быстро ВВП(154 знак., 24.02.2014 23:45)
- вот это -> - Argon(24.02.2014 22:34, картинка)
- Интеллектуальные ключи при перенапряжениях же открываются? А предохранители наоборот перегорают. - fk0(25.02.2014 09:36)
