-
- Используем такие схемы защита от переполюсовки. У нее есть один нюанс. Канал у FET симметричный. Если он открыт, то ему без разницы в какую сторону через него течет ток. При наличии в нагрузке емкости значительной величины она не успевает быстро ВВП(154 знак., 24.02.2014 23:45)
- Не понял чем плох обратный ток и почему мосфет должен дать дуба. Имеется ввиду, что протекание значительного тока при околонулевых напряжениях на клеммах губительно для полузакрытого мосфета? Тогда втекание тока при просто низком напряжении fk0(159 знак., 25.02.2014 09:33)
- При переполюсовке ток течет через схему. Через все ее защитные диоды, которые при нормальном включении обратносмещены, а при переполюсовке прямосмещены. Подайте на питание любого МК напряжение штатного номинала, но в обратной полярности и ВВП(24 знак., 25.02.2014 10:04)
- Когда ток начинает течь через защитные диоды, то напряжение уже такое, что транзистор должен быть закрыт. - fk0(26.02.2014 13:31)
- При переполюсовке ток течет через схему. Через все ее защитные диоды, которые при нормальном включении обратносмещены, а при переполюсовке прямосмещены. Подайте на питание любого МК напряжение штатного номинала, но в обратной полярности и ВВП(24 знак., 25.02.2014 10:04)
- Это да. В защите полевых девайсов от переполюсовки отказался от такого решения именно по этой причине - Vit(25.02.2014 00:29)
- о, это не есть гуд... - Argon(24.02.2014 23:58)
- Не понял чем плох обратный ток и почему мосфет должен дать дуба. Имеется ввиду, что протекание значительного тока при околонулевых напряжениях на клеммах губительно для полузакрытого мосфета? Тогда втекание тока при просто низком напряжении fk0(159 знак., 25.02.2014 09:33)
- Защита "вверх дыбом" - Vit(24.02.2014 23:42, ссылка)
- ну да, оно и есть - Argon(24.02.2014 23:43)
- при переполюсовке просто не пущает. Нижний умный ключ завсегда N-MOS, а верхние обычно опять же N-MOS, ну и вольтдобавка впридачу - Vit(24.02.2014 23:46)
- ну да, оно и есть - Argon(24.02.2014 23:43)
- Нагрузка запитана через паразитный диод. Как это поможет от КЗ в нагрузке, если паразитный диод всегда пропускает ток и перекрыть его нельзя? - KLIM83(24.02.2014 23:29 - 23:38)
- канал-то открыт при верной полярности - Argon(24.02.2014 23:37)
- А при неверной ток через нагрузку течёт через диод. - KLIM83(24.02.2014 23:39)
- как это? диод-то встречный - Argon(24.02.2014 23:42)
- Встречный при правильной полярности становится попутным при неправильной, так? - KLIM83(25.02.2014 00:07)
- При корректном включении прямосмещенный боди-диод дополнительно шунтируется открытым каналом MOSFET. При неправильном включении боди-диод смещен обратным напряжением, а канал закрыт. - ВВП(25.02.2014 00:25)
- нэт, схему посмотрите выше и файл, к-рый Vit приложил - Argon(25.02.2014 00:14)
- Пример: возьмём ключ нижнего уровня IPS1021, подключим по схеме fig. 4 в даташите. Теперь поменяем полярность источника питания. Ток через ключ течёт, ибо паразитный диод в структуре, о чём я и говорил. - KLIM83(25.02.2014 17:33, ссылка)
- да вы лыка не вяжете. причем здесь типовая схема включения этого ключа на fig4? - Argon(26.02.2014 09:34)
- Пример: возьмём ключ нижнего уровня IPS1021, подключим по схеме fig. 4 в даташите. Теперь поменяем полярность источника питания. Ток через ключ течёт, ибо паразитный диод в структуре, о чём я и говорил. - KLIM83(25.02.2014 17:33, ссылка)
- Встречный при правильной полярности становится попутным при неправильной, так? - KLIM83(25.02.2014 00:07)
- как это? диод-то встречный - Argon(24.02.2014 23:42)
- А при неверной ток через нагрузку течёт через диод. - KLIM83(24.02.2014 23:39)
- канал-то открыт при верной полярности - Argon(24.02.2014 23:37)
- Используем такие схемы защита от переполюсовки. У нее есть один нюанс. Канал у FET симметричный. Если он открыт, то ему без разницы в какую сторону через него течет ток. При наличии в нагрузке емкости значительной величины она не успевает быстро ВВП(154 знак., 24.02.2014 23:45)