ВходНаше всё Теги codebook 无线电组件 Поиск Опросы Закон Вторник
2 июля
О смысле всего сущего0xFF Средства и методы разработки Мобильная и беспроводная связь Блошиный рынокОбъявления
МикроконтроллерыPLD, FPGA, DSP AVRPICARM, RISC-VТехнологии Кибернетика, автоматика, протоколы Схемы, платы, компоненты
516038 Топик полностью
Michael_75 (16.05.2014 17:32, просмотров: 42) ответил AU08 на Да, дело именно в реакции на К.З. при больших токах. Использовать слаботочный p-n переход база-эмиттер в режиме стабилитрона/стабистора не целесообразно.
Всё правильно AU08 говорит Как правило Q1 это мощный транзистор, а закрывается он медленно. Поэтому при К.З. в нагрузке выгорает переход б-э транзистора Q2. Резистор R2 сопротивлением 30...100 Ом решает эту проблему.
Ответить