SciFi (25.06.2014 14:32, просмотров: 94) ответил fk0 на При выборе рабочей точки биполярного транзистора или полевого (JFET) что ограничивает, почему ток через базу или коллектор (через сток), при схеме включения с общим эмиттером (истоком) не может быть сколь угодно малый?ส็็็็็็็็็็็็็็็็็็็็็็็็็༼ ຈل͜ຈ༽ส้้้้้้้้้้้้้้้้้้้้้้้
-
- Аналогичный вопрос про JFET. Понятно, что при Vds < некого порога работы быть не может. Но Ids ведь может опускаться до околонулевых величин при задании подходящих Vgs. А что служит нижним порогом? - fk0(25.06.2014 15:09, картинка)
- Может ссылку на отеч. ресурс? saifullin2(160 знак., 25.06.2014 19:28 - 20:54, ссылка)
- Вот хорошая картинка. Получается при очень малых токах коллектора, например, наклон кривой становится практически параллелен оси абцисс и транзистор не может усиливать. Но почему, например, на картинке 250uA, а не 250pA? fk0(25.06.2014 15:03)
- Это вроде как ВАХ перехода Б-Э? saifullin2(52 знак., 25.06.2014 19:29)
- Вы путаетесь, Ralex(411 знак., 25.06.2014 17:03)
- Аналогичный вопрос про JFET. Понятно, что при Vds < некого порога работы быть не может. Но Ids ведь может опускаться до околонулевых величин при задании подходящих Vgs. А что служит нижним порогом? - fk0(25.06.2014 15:09, картинка)
