Схемы, платы, компоненты

КМК эта нелинейность обусловлена конечным значением h21э. кт3102 до тысячи. У силовых значительно ниже. У высоковольтных сильно ниже. В LDO с низким Iq, применяют Mosfet. Низкое перех. сопр.+ бесконечное входное. Последнй фактор позволяет управлять очень низкими токами. В экономичных микрухах нередко используются транзисторы с режимом тока коллектора=десятки мкА. Чтобы обеспечть достойный h21э в таком режиме, применяются транз. с тонкой базой.