JP111 (06.08.2014 15:29, просмотров: 1332) Evgeny_CD
Вопрос по N канальным MOSFET. В обратно ходовом импульсном блоке питания на drain периодически выскакивает напряжение больше максимально-допустимого (drain to source). Вопрос есть ли какой-то встроенный механизм защиты в MOSFETe (в документации Drain to Source Breakdown Voltage т.е. пробой) Это разрушение или пробой с целью слить лишнюю энергию как стабилитрон? Вопрос приводит ли данный эффект к какой-то деградации MOSFETa или же данная энергия просто выделяется в виде тепла в MOSFETe? По факту импульсное напряжение на drain в момент закрытия может значительно превышать максимально допустимое (+50%). страшно это или нет (перегрева нет, но вдруг возможна какая-то деградация материалов)