ВходНаше всё Теги codebook 无线电组件 Поиск Опросы Закон Вторник
16 июля
562163 Топик полностью
ANV (25.11.2014 18:23, просмотров: 119) ответил Evgeny_CD на Что говорит о следующем. NAND FLASH 20нм и тоньше получится непутевым, и перспективы идти и дальне по пути тонких техпроцессов в этом секторе нет. А плотность повышать надо. Тут-то и подоспели наработки по 3D. Решили делать бутерброд из 40 нм,
Это говорит что Samsung захотел быть первым используя более дешевые технологии производства с примочками что бы удешевить память и открыть новые горизонты емкостей, Интел захотела того же, ибо печь далее флешку с ресурсом 1-3к - себя не уважать. А флеш 20nm будет такая же самая если делать по той же технологии, только смысла нет.