Вход
Наше всё
Теги
codebook
无线电组件
Поиск
Опросы
Закон
Суббота
5 апреля
О смысле всего сущего
0xFF
Средства и методы разработки
Мобильная и беспроводная связь
Блошиный рынок
Объявления
Микроконтроллеры
PLD, FPGA, DSP
AVR
PIC
ARM, RISC-V
Технологии
Кибернетика, автоматика, протоколы
Схемы, платы, компоненты
Программируемая логика и ЦОС
586231
Топик полностью
Evgeny_CD
Архитектор
(16.03.2015 10:52, просмотров: 278)
ответил
amusin
на
У них набортная флеш прошивается 2 раза. Если закладываться на большее, придется добавить цену внешней флешки
Девайсы, которые E (ядро 1.2В) жрут около 1 ма на 1300 вариант в статике - существенно уменьшили. Может, там какие технологические ограничения всплыли? iCE вообще вон однократно. Зато девайс можно грузить по SPI для отладки до бесконечности.
Ответить