ВходНаше всё Теги codebook 无线电组件 Поиск Опросы Закон Вторник
26 ноября
62687
General (12.07.2006 09:51, просмотров: 6143)
Новый тип памяти - MRAM (Magnetoresistive random access memory) - Магниторезистивная память с произвольной выборкой. Память MRAM способна заменить как ОЗУ типа eSRAM, так и FLASH - в одном кристалле. Новая память обладает скоростью eSRAM и способностью долговременно сохранять информацию аналогично FLASH. Данная память идеально подходит для задач где необходимы быстрые запись/чтение и способность сохранять информацию в отсутствие питающего напряжение без периодического обновления. Пресс-релиз представлен по следующей ссылке: http://media.frees …sArticle&ID=880030 Впервые образец памяти MRAM был представлен в декабре 2003 года. Более подробную информацию об истории развития магниторезистивной памяти Freescale/Motorola Вы можете узнать по следующей ссылке: http://www.freesca …7134&tid=tMlm#MRAM Вы можете посетить специализированный сайт, посвященный памяти на базе магниторезистивной технологии: http://www.mram-info.com/ Страница сайта, посвященна первому из линейки продуктов MRAM: http://www.freesca …mmary.jsp?code=MR2A16A