NAND Flash K9F4G08U0E не пишет по 512 байт, хотя предыдущие 5 поколений писали. В даташите написано, что можно так писать. http://www.samsung.com/global/business/semiconductor/html/common/file/support/part_number_decoder/Nand_Flash.pdf
Размер блока 128KB. Стирать можно только поблочно.
Размер страницы 2KB+64B. Писать можно постранично.
В даташите написано :
The number of consecutive partial page programming operation within the same page without an intervening erase operation must not exceed 4 times for a single page.
Я пишу в каждую страницу по 512 байт + 16 байт. 4 раза.
Накоплю 512 байт. Запишу. Накоплю еще 512 байт. Еще запишу.
С микросхемами K9F4G08U0M, K9F4G08U0A, K9F4G08U0B, K9F4G08U0C, K9F4G08U0D этот механизм работал.
Последнее поколение микросхем K9F4G08U0E при таком механизме записи портит данные.
Если писать по 2KB+64B, то данные не портятся.
Ввиду ограниченности памяти моего контроллера и сложности программы переделать на запись по 2KB будет очень сложно. Если вообще возможно.
Использует ли кто-нибудь такой же механизм записи (по 512B) в NAND flash c 2KB страницами ?
Работает ли такой механизм записи с поколением E ? Или мне просто попалась бракованная партия микросхем ?
P.S. Последняя буква - номер поколения микросхемы.
М - 1е поколение
A - 2е поколение
B - 3е поколение
C - 4е поколение
D - 5е поколение
E - 6е поколение
Ale3000 (19.11.2015 06:05 - 06:11, просмотров: 3586)