смотря как на самом деле выглядят диаграммы чтения/записи 12 нс -- это время дешифрации адреса внутри микросхемы. Если строб чтения/записи следует сразу же после того как, то все можно успеть.
Обычно это не совсем так. Поэтому могут быть необходимы задержки.
Плюс длина самого строба (выборка кристалла/чтение/запись) тоже лимитирована в микросхеме памяти (обычно 7-8 нс). (Цифры привожу для 12нс памяти Alliance Semiconductor, которую я сам использую.)
Поэтому если строб идет через сколько-ко там нс после выставления адреса, то соответственно длина одного цикла увеличивается. С цыгналами не имел возможности работать, потому не стану утруждаться раскопками даташитов.
А цифра 40МГц -- это вобщем то моя цифра, это моя скорость потокового чтения из микросхемы. Каждые 25 нс выбирается новый адрес, 12 нс на дешифрацию адреса, остаток на собственно чтение и внутренние нужды.