Ксения (15.11.2016 13:16, просмотров: 128) ответил Nikolay801_ на Не нужно сбивать народ с правильного пути! для CMOS и n-p-n транзистора есть свои даты.-
- p - это ж позитив наверно, негатива стало больше - добро побеждает зло только в бесконечности, там p-p-p транзисторы победят - basilmak(15.11.2016 19:43)
- германиевые с дырочной проводимостью удобнее было делать, а кремния вроде как больше вокруг - Vit(15.11.2016 14:26, ссылка)
- Подвижность электронов выше подвижности дырок - эрго хороших характеристик легче достичь у n-p-n. А у германия утечки большие. Держался некоторое время в СВЧ - потом и там сдал. - _volkanaft(15.11.2016 20:10,
) - не знаю насчет "удобства", но мне (нам) конкретно в 1976-1978гг выкручивали руки с требованием убрать германий из всех новых разработок. - Лагунов(15.11.2016 18:35)
- Подвижность электронов выше подвижности дырок - эрго хороших характеристик легче достичь у n-p-n. А у германия утечки большие. Держался некоторое время в СВЧ - потом и там сдал. - _volkanaft(15.11.2016 20:10,
- Первые транзисторы вроде германиевые были? И ещё у них нелогично было, "-" как будто сверху: потенциал коллектора понижается, а напряжение увеличивается! - AU08(15.11.2016 13:37)
- Германиевые и диффузионная технология,для N-P-N более технологична фотолитография на кремнии. - VNP(15.11.2016 13:56)
- Теперь ясно! - Ксения(15.11.2016 13:51)