Пишут про STTMRAM с размером рабочей части ячейки 11 нм:
Соответственно, память такого типа будет производиться по 10-нм техпроцессу. Скорость доступа к ячейке составляет около 10 нс. По этому параметру новая память стоит рядом с DRAM, а не NAND-флэш. STTMRAM позиционируется как основная память с практически бесконечным ресурсом на перезапись.
Еще одним достоинством новинки является пониженное в сравнении с традиционными типами памяти энергопотребление — на запись требуется всего 7,5 мкА.
Отдельные чипы мне малоинтересны, а в составе контроллеров (к примеру, тех же MSP430) было бы интересно пощупать.