Лагунов (28.08.2017 15:46, просмотров: 213) ответил ASDFS на Точно. Плюс рост дедтайма это еще и частотка ниже. Значит моточные толще, радиаторы больше, транзюки греются, кандюки тоже в плюс. Ну и тэпэ.-
- Если токи слишком велики и их протекание через обратные диоды чревато знатным перегревом - тогда можно запариться с выбором ДТ. Если же эти потери приемлемы то нефиг париться и выбирай побольше. - ASDFS(28.08.2017 17:04)
- 40 ампер в дроссель, через диод транзистора действительно неохота и чревато пускать такой ток. Хочется его вовремя открыть. - Лагунов(29.08.2017 11:11)
- Хрен там теоретические выкладки помогут - осциллограмму в студию! И что это за встроенный диод такой, у которого допустимый (импульсный) ток меньше чем у MOSFET? AU08(137 знак., 29.08.2017 12:29 - 12:38, ссылка)
- почему ток диода меньше чем у МОСФЕТ? Одинаковые. Но у диода падение на 40А больше 0,9В, а у транзистора 0,5В. То бишь лишние потери, пока транзистор не открою. - Лагунов(29.08.2017 15:20 - 15:23)
- Та шо Вы переживаете за эти потери проводимости диода? Он же работает мизерный промежуток времени за период. Лучше о времени обратного восстановления задумайтесь, это на 2 порядка важнее. - Yurasvs(29.08.2017 19:49)
- На транзисторе 0,5В? Это УГ, а не транзистор. - SciFi(29.08.2017 15:24)
- к сожалению ничего дешевого не нашел в корпусе ТО-3, с током > 50А и напряжением 120В. Да еще чтобы наносекунды меньше 100. И при всем при том Rds<13 мОм. А иначе как 0,5В при токе 40А? - Лагунов(29.08.2017 18:26)
- Обычно ключи параллельно включают на такие токи (40А). Какой тип планируется использовать? - AU08(30.08.2017 06:36)
- IRFP4321. Есть вариант и два в параллель. Но сильно давит жаба, хочется дешевле. :-) - Лагунов(30.08.2017 07:25)
- Ну и вообще-то там не наносекунды, а нанокулоны. Стыдитесь :-) - SciFi(29.08.2017 18:30)
- при моем периоде не более 4 мксек важней как раз наносекунды. - Лагунов(29.08.2017 18:54)
- Просто я недавно применил вот такое, но там 20В, конечно --> - SciFi(29.08.2017 18:29, ссылка)
- Обычно ключи параллельно включают на такие токи (40А). Какой тип планируется использовать? - AU08(30.08.2017 06:36)
- к сожалению ничего дешевого не нашел в корпусе ТО-3, с током > 50А и напряжением 120В. Да еще чтобы наносекунды меньше 100. И при всем при том Rds<13 мОм. А иначе как 0,5В при токе 40А? - Лагунов(29.08.2017 18:26)
- почему ток диода меньше чем у МОСФЕТ? Одинаковые. Но у диода падение на 40А больше 0,9В, а у транзистора 0,5В. То бишь лишние потери, пока транзистор не открою. - Лагунов(29.08.2017 15:20 - 15:23)
- Тогда на холостом посмотреть осциллограммку. А если осцилла нет - померять ток потребления для обоих ДТ. - ASDFS(29.08.2017 11:47)
- ну что экспериментально подбирать - я понял. Думал, что может тут наука какая... - Лагунов(29.08.2017 15:14)
- Хрен там теоретические выкладки помогут - осциллограмму в студию! И что это за встроенный диод такой, у которого допустимый (импульсный) ток меньше чем у MOSFET? AU08(137 знак., 29.08.2017 12:29 - 12:38, ссылка)
- 40 ампер в дроссель, через диод транзистора действительно неохота и чревато пускать такой ток. Хочется его вовремя открыть. - Лагунов(29.08.2017 11:11)
- Если токи слишком велики и их протекание через обратные диоды чревато знатным перегревом - тогда можно запариться с выбором ДТ. Если же эти потери приемлемы то нефиг париться и выбирай побольше. - ASDFS(28.08.2017 17:04)