De_User (05.03.2019 02:09 - 03:08, просмотров: 3921)2 Yurasvs: Про неявные параметры MOSFET. Первый: соотношение Сin/Crss (Сiss/Cgd). Чем выше соотношение, тем проще управлять (меньше влияет эффект Миллера). А по (удельной) мощности просто так не формализовать. Это к теме про ККМ на 3,5 кВт
http://caxapa.ru/903697.html
У старого "дубового" транзистора К = 7700/5 = 1'540
У IXFH60N65X2 К = 6300/1.7 = 3'706, который предложен dinam
по ссылкам http://caxapa.ru/903899.html и http://caxapa.ru/903904.html
У кул IPW60R040C7 и у четырёхного IPZ65R045C7 в описании "умолчали" про Crss (Cgd).
Let's come together right now !
-
- С этим довольно легко бороться. Если по каким-либо причинам необходим затворный резистор более 4..5 Ом, и есть вероятность ложного открывания и даже пробоя затвора через емкость Миллера, классический активный "запиратель" на pnp транзисторе, Yurasvs(67 знак., 05.03.2019 20:40)
- Спасибо! В цепи затвора колхозил диод (superfast 25 нс, на закрытие) параллельно резистору, потом ferrite bead последовательно. Выходной ток драйвера до 6А. Быстрых PNP c не нашёл c импульсным током до 8А :) - De_User(05.03.2019 20:56 - 20:59)
- Держи транзисторы, искун :) Evgeny_CD(05.03.2019 21:22)
- Там бы и обычного Шоттки хватило. Транзисторы есть и много, например 2SA2040-TL-E в корпусе DPAK. - Yurasvs(05.03.2019 21:16)
- Спасибо! Интересно, почему у большинства Шоттки в SMA ни ёмкости, ни временных параметров не указывают? Для SS12 ёмкость в 100 пФ при 5В очень много, КМК. У SuperFast от 5 до 8 пФ. - De_User(05.03.2019 21:44 - 21:48, ссылка)
- Спасибо, интересные и недорогие транзисторы. Evgeny_CD(05.03.2019 21:45)
- Что-то затупил: если питание выхода драйвера 12В, а максимально допустимое обратное напряжение база-эмиттер 7В, то как они вместе ухитряются работать? De_User(197 знак., 05.03.2019 22:09 - 22:36)
- Переход БЭ шунтируется диодом Шоттки в обратном направлении. Через этот же диод Мосфет открывается. Коллектор транзистора соединить с истоком, эмиттер с затвором, на базу подавать сигнал с драйвера(при необходимости через замедляющий резистор). Yurasvs(42 знак., 05.03.2019 22:21)
- Нам только PNP нужен. NPN просто в том же даташЫте живет. - Evgeny_CD(05.03.2019 22:18)
- Что-то затупил: если питание выхода драйвера 12В, а максимально допустимое обратное напряжение база-эмиттер 7В, то как они вместе ухитряются работать? De_User(197 знак., 05.03.2019 22:09 - 22:36)
- Спасибо! В цепи затвора колхозил диод (superfast 25 нс, на закрытие) параллельно резистору, потом ferrite bead последовательно. Выходной ток драйвера до 6А. Быстрых PNP c не нашёл c импульсным током до 8А :) - De_User(05.03.2019 20:56 - 20:59)
- Ещё у современных быстрых MOSFET Derating factor от 0,8 до 0,9% мощности/° Т.е. при перегреве на 100° допустимая мощность 10...20% от максимальной. Для IPW60R040C7 график SOA для Tj = 80°С, для большинства MOSFET при Tj = 150°C. - De_User(05.03.2019 19:52 - 19:57)
- Да, мосфеты - одно дело, на характеристики пленочных кондеров гляньте, то, что вольтаж у него на постоянке прописан 1000 В, не факт что он на 100 кГц и 100 В потянет. Как в резонансные преобразователи полез, узнал много нового :-) - Visitor(05.03.2019 20:16)
- Вообще то есть пленка для переменных напряжений. Это просто РАЗНЫЕ конденсаторы. У них разная допустимая реактивная мощность (реактивный ток). - my504(05.03.2019 21:53)
- Часто эта плёнка называется PP = полипропилен! - De_User(05.03.2019 21:54)
- Вообще то есть пленка для переменных напряжений. Это просто РАЗНЫЕ конденсаторы. У них разная допустимая реактивная мощность (реактивный ток). - my504(05.03.2019 21:53)
- Да, мосфеты - одно дело, на характеристики пленочных кондеров гляньте, то, что вольтаж у него на постоянке прописан 1000 В, не факт что он на 100 кГц и 100 В потянет. Как в резонансные преобразователи полез, узнал много нового :-) - Visitor(05.03.2019 20:16)
- Честно говоря я не смотрю на эти емкости. Уж слишком у они нелинейные. График Crss это подтверждает. Мне достаточно значение заряда. dinam(256 знак., 05.03.2019 09:42)
- Бери выше! При напряжении 500 В аж целых 3 мА DC однократно допускается для IPW60R040C7 (1,5Вт) при 25°С ! +1 что "современные полевые транзиcторы не предназначены для линейных режимов" De_User(05.03.2019 18:48 - 19:54)
- У более "дубового" IXFH60N65X2 >0,5 А при 500 В допускается, это 25 Вт однократно при длительности импульса 1 мс и Tj = 150°C. De_User(05.03.2019 19:16 - 19:55)
- Бери выше! При напряжении 500 В аж целых 3 мА DC однократно допускается для IPW60R040C7 (1,5Вт) при 25°С ! +1 что "современные полевые транзиcторы не предназначены для линейных режимов" De_User(05.03.2019 18:48 - 19:54)
- С этим довольно легко бороться. Если по каким-либо причинам необходим затворный резистор более 4..5 Ом, и есть вероятность ложного открывания и даже пробоя затвора через емкость Миллера, классический активный "запиратель" на pnp транзисторе, Yurasvs(67 знак., 05.03.2019 20:40)