Yurasvs (05.03.2019 20:40, просмотров: 127) ответил De_User на 2 Yurasvs: Про неявные параметры MOSFET. Первый: соотношение Сin/Crss (Сiss/Cgd). Чем выше соотношение, тем проще управлять (меньше влияет эффект Миллера). А по (удельной) мощности просто так не формализовать. -
- Спасибо! В цепи затвора колхозил диод (superfast 25 нс, на закрытие) параллельно резистору, потом ferrite bead последовательно. Выходной ток драйвера до 6А. Быстрых PNP c не нашёл c импульсным током до 8А :) - De_User(05.03.2019 20:56 - 20:59)
- Держи транзисторы, искун :) Evgeny_CD(05.03.2019 21:22)
- Там бы и обычного Шоттки хватило. Транзисторы есть и много, например 2SA2040-TL-E в корпусе DPAK. - Yurasvs(05.03.2019 21:16)
- Спасибо! Интересно, почему у большинства Шоттки в SMA ни ёмкости, ни временных параметров не указывают? Для SS12 ёмкость в 100 пФ при 5В очень много, КМК. У SuperFast от 5 до 8 пФ. - De_User(05.03.2019 21:44 - 21:48, ссылка)
- Спасибо, интересные и недорогие транзисторы. Evgeny_CD(05.03.2019 21:45)
- Что-то затупил: если питание выхода драйвера 12В, а максимально допустимое обратное напряжение база-эмиттер 7В, то как они вместе ухитряются работать? De_User(197 знак., 05.03.2019 22:09 - 22:36)
- Переход БЭ шунтируется диодом Шоттки в обратном направлении. Через этот же диод Мосфет открывается. Коллектор транзистора соединить с истоком, эмиттер с затвором, на базу подавать сигнал с драйвера(при необходимости через замедляющий резистор). Yurasvs(42 знак., 05.03.2019 22:21)
- Нам только PNP нужен. NPN просто в том же даташЫте живет. - Evgeny_CD(05.03.2019 22:18)
- Что-то затупил: если питание выхода драйвера 12В, а максимально допустимое обратное напряжение база-эмиттер 7В, то как они вместе ухитряются работать? De_User(197 знак., 05.03.2019 22:09 - 22:36)
- Спасибо! В цепи затвора колхозил диод (superfast 25 нс, на закрытие) параллельно резистору, потом ferrite bead последовательно. Выходной ток драйвера до 6А. Быстрых PNP c не нашёл c импульсным током до 8А :) - De_User(05.03.2019 20:56 - 20:59)