Вход
Наше всё
Теги
codebook
无线电组件
Поиск
Опросы
Закон
Среда
27 ноября
О смысле всего сущего
0xFF
Средства и методы разработки
Мобильная и беспроводная связь
Блошиный рынок
Объявления
Микроконтроллеры
PLD, FPGA, DSP
AVR
PIC
ARM, RISC-V
Технологии
Кибернетика, автоматика, протоколы
Схемы, платы, компоненты
Схемы, платы, компоненты
926621
Топик полностью
LordN
, философ
(10.06.2019 21:00, просмотров: 167)
ответил
Evgeny_CD
на
[SiC]
полумост 1200V 450A(пост) 3.7 mΩ макс. 38 nF подзатворная. Пара таких модульков позволят сделать мост на 0.5 МВт.....
на старых МЕшных мультизонах (еще с АД движками) о 28кВт по холоду, стоят от такие IPMы
https://photos.app …o.gl/Brne1C5u3wzwdGDr7
твои, по ссылке и по индукции, 28*9=250кВт холода. дели на три, получишь электромощу. примерно.
ЛН
Ответить
Это 20 КГц IGBT модуль. Подзатворую емкость вообще не написали - но там какой-то кусок драйвера есть -> "Мой модуль" - 100 КГц SiC. в 9 раз больше ток.
-
Evgeny_CD
(10.06.2019 21:47
,
ссылка
)
Это IPM, все в одном флаконе. Удобная штука, но обычно выше 10...15кВт их применять проблематично из-за паразитных индуктивностей.
-
Yurasvs
(11.06.2019 08:32
)