De_User (09.11.2019 00:45 - 01:03, просмотров: 1507)Два разных MOSFET. Сgate 4'500 и 1'600 пФ, Trise+Tfall = 46 и 25 нс. По расчётам, чтобы сделать одинаковыми - замедлить, нужно установить дополнительную ёмкость в затвор 20 нФ - в 7 (семь) раз больше "разницы". ЧЯДНТ? Ширина зоны "управления" порядка 1,5В (если верить графику из описания).
Ток драйвера 6В/3.9Ом = 1,5А
I*T = C*U
Для "замедления" процесса открывания на 20 нс расчётная ёмкость получается под 20 нФ!
Это в 7 (семь) раз больше, чем разница ёмкости затвора согласно описанию.
Let's come together right now !
-
- Это не совсем ёмкости, только немного на них похожи. ЫЫукпу(352 знак., 10.11.2019 09:33)
- 2 Yurasvs: как оно должно быть на самом деле - практически? - De_User(10.11.2019 06:46)
- Ориентироваться не на емкости, а на total gate charge. Скорость регулировать резистором в затворе, уточнять экспериментально. Емкость добавляют только тогда, когда необходимый резистор получается слишком большим и существует вероятность пробоя Yurasvs(53 знак., 10.11.2019 10:10)
- Емкости по разному подключены, родная проходная. - VLLV(09.11.2019 00:52)