Схемы, платы, компоненты

Ты пишешь, мол всего 50Гц. Это не так. Матрица об этом не знает симулирует цепь во всём спектре... В итоге на переключениях возможны процессы занимающие десятки наносекунд и на осциллографе, когда у тебя 20мс на всю шкалу -- их не видно. Нужно засинхронизироваться по фронту, поставить 1мкс и искать иголки. И там могут быть эффекты вызванные этими короткими явлениями: 1) задержка открывания диода вызывает пик напряжения (очень короткий) и пробой полупроводников (почему нужен конденсатор, снаббер); 2) задержка закрытия диода (recovery) вызывает заметный пик напряжения с обратным знаком и последующий звон, видимый на осциллографе, почему тоже нужен снаббер; 3) как указано в тошибовской аппноте, резкий рост напряжения (в момент reverse recovery) может вызывать пробой мосфета; 4) и наконец любой проводник длинее десятка сантиметров -- порядочная индуктивность и сопротивление, а не проводник. Надо сказать идея использования body diodes она вообще так себе: они греют транзистор и имеют иногда не оговоренные в даташите характеристики, весьма посредственные. Вот у тебя возможно что-то подобное творится. И ты об этом не догадываешься, т.к. есть отговорка, мол "тут всего же 50 Гц". Было бы, если бы мосфеты синус выдавали, а не закрывались моментально. И способом борьбы, кстати, может быть более плавное управление затворам. Да, транзисторы начнут рассеивать тепло, но очень мало ввиду как раз низкой частоты. Ссылки по теме: https://toshiba.se …o/docget.jsp?did=13415 https://www.analog …tching-regulators.html POV уже кажется с похожей проблемой приходил: http://caxapa.ru/590023.html