Схемы, платы, компоненты

[SiC <-> IGBT] в категории полумостовых модулей 1200V 300...450A IGBT совсем не устарели. cab450m12xm3-reva.pdf

MG12300D-BN2MM - IGBT 1200V 300A (80°C) - High short circuit capability, self limiting short circuit current tsc≤10μS , VGE=15V TJ =125°C VCC=900V 1200A типовое. 1.7В 300В 25°C

$191 розница.

MG12300WB-BN2MM - IGBT 1200V 300A (80°C) - High short circuit capability, self limiting short circuit current tsc≤10μS , VGE=15V TJ =125°C VCC=900V 1200A типовое $169 розница. Довольно большой корпус. 1.7В 300В 25°C

CAB450M12XM3 - SiC 1200V 409A (TC = 90 ˚C, TVJ ≤ 175 ˚C) КЗ не держит! 2.6mΩ минимальное обещанное сопротивление, но может быть и 4.6 ~$820 розница.

Энергии переключения этих IGBT не на порядок больше, чем SiC. Подзатворная IGBT ниже (но там вопрос как измеряли).

Пусть у нас протекает 300А RMS при 220V AC RMS.

КПД IGBT в статике 1-(1.7/220) = 99, 2%

КПД SiC в статике (220*300-(300^2)*0.003)/(220*300) = 99, 6%

IGBT держит "лом в щитке" 10 мкс, за это время можно прочухать ток и отключить.

Для SiC защита по току будет очень сложной, очень.

Частота коммутации IGBT будет ниже, насколько - надо исследовать.

Littelf…GBT_Module_MG12300WB_BN2MM_Datasheet.pdf.pdf

Littelf…G12300D_BN2MM_Datasheet.pdf.pdf

Вот и получается, что IGBT совсем не устарели.