-
- «Микран» с «ТВЭЛом» собираются открыть в Зоне «Северск» фабрику по
производству микроэлектроники на основе нитрида галлия мощностью 3
млрд изделий в год (2025). teap0t(1 знак., 28.07.2022 09:49, ссылка)
- Вот рядом живу, и для Микрана кое что делал, а эта тема только в новостях. Никаких реальных потуг не видно и не слышно. В Железногорске видел потуги Чубайса кремниевую фабрику в глубокой тайге построить. Здание как из фантастики выглядит, но прибыль ноль. - Visitor(26.03.2023 14:58)
- Пытаюсь представить что-то в количестве 3 миллиарда штук. Это даже
для спичек много. :-) - Лaгyнoв(26.03.2023 07:48)
- Спич фабрику в томске закрыли, но есть история с ней: какие то
дебилы додумались установить блок запуска сирены рядом с
сепаратором. Там что бы разговаривать нужно прямо в ухо орать. А мы
с проверкой приехали, запустилась или нет? Как вышло, запустилась,
к фабрике уже пожарных и скорых понаехало, а мы внутри цеха сирену
не услышали:-) - Visitor(26.03.2023 14:43)
- я насчет 3 миллиардов штук прикололся. Там вероятно хотели сказать,
что изделий микроэлектроники на 3 млрд рублей, но как всегда. :-) - Лaгyнoв(26.03.2023 14:53)
- Сколько весили 3 миллиона рублей в 90 стые годы? -А какими купюрами? :-) - Visitor(26.03.2023 15:01)
- я насчет 3 миллиардов штук прикололся. Там вероятно хотели сказать,
что изделий микроэлектроники на 3 млрд рублей, но как всегда. :-) - Лaгyнoв(26.03.2023 14:53)
- Спич фабрику в томске закрыли, но есть история с ней: какие то
дебилы додумались установить блок запуска сирены рядом с
сепаратором. Там что бы разговаривать нужно прямо в ухо орать. А мы
с проверкой приехали, запустилась или нет? Как вышло, запустилась,
к фабрике уже пожарных и скорых понаехало, а мы внутри цеха сирену
не услышали:-) - Visitor(26.03.2023 14:43)
- [GaN <-> IGBT в классе до 10А.] Старье проигрывает, точнее уже проиграло :) Вот так и происходит
смена поколений. Evgeny_CD(1470 знак., 03.12.2021 16:46, ссылка, ссылка)
- Однако современные полевики не хотят умирать. Очень нетривиально про высоковольтные полевики ST Evgeny_CD(1 знак., 04.12.2021 03:19, ссылка)
- О терминологии: сравнивать SiC с IGBT это как сравнивать теплое и
квадратное. Разве нельзя сделать биполярный транзистор с
изолированным затвором из SiC? - Boвa(03.12.2021 21:10)
- В этом году даже диоды нормальные типа MBR40250G не купить, пришлось на китайские менять. Падение вдвое больше. Да и пофиг, что КПД не 96% а 94% будет. - Visitor(26.03.2023 06:54)
- Сумневаюсь что такое случиться. У IGBT был один плюс. Это возможность парааллелить много ячеек внутри без доп.технических приёмов. Изготавливаются кирпичики на тысячи ампер и U=600В. Их основная ниша-НЧ преобр-я техника (типа ЧРП, преоб-ли РЖД). Смогут ли более сов-е технологии потеснить кирпичи-покажут следующие десятилетия. Пока цены кусачие, а для РФ-ян ещё актуален фактор доступности. - saifullin(26.03.2023 04:42)
- Спасибо. В принципе, ты прав. По факту есть устоявшиеся понятия, что IGBT - это отдельный сорт кремниевых транзисторов. SiC - они могут быть целых трех видов: FET, JFET и биполярный. - Evgeny_CD(03.12.2021 21:49)
- Вот правильная идея входных цепей - мост Ларионова на все 4 провода 3-х фазной сети (Ф1-Ф3 и N). Оно само найдет наибольшее напряжение между любыми двумя проводами сети :) Evgeny_CD(1 знак., 03.12.2021 17:20, ссылка)
- Вообще сказка от Infineon 1700V IMBF170R1K0M1XTMA1 100 - $5.18, но
на складе нет :( Пример БП на нем. Входные цепи как в старой апноте
от IR Evgeny_CD(71 знак., 03.12.2021 17:16, ссылка, ссылка)
- А вот контроллер из апноуты UCC28600 на нашей планете, похоже,
отсутствует :( Evgeny_CD(1 знак., 03.12.2021 17:33, ссылка)
- Так, историю расскажу, что ТИ не факт качества, года 3.. 4 назад взяли партию UCC256301, вообще ни одна не работает! Интереснее, что в режиме запуска еще и ведут себя по разному. Ну послали их подальше, сделали на NCP1392D. - Visitor(03.12.2021 21:52)
- Так Инфинеоновские присутствуют. На сайте Компел, даже пара статей с переводом есть - "Квазирезонанс - это просто!", по такой методе любой школьник разработать и преобразователь и транс к нему сможет. - Visitor(03.12.2021 18:01)
- Так это же PFM или ККМ в простонародии. Как вариант L6562 от STM,
не? rezident(1 знак., 03.12.2021 17:37, ссылка)
- FlyBack контроллеров мльен, я говорил про конкретный из апноута. - Evgeny_CD(03.12.2021 17:50)
- А вот контроллер из апноуты UCC28600 на нашей планете, похоже,
отсутствует :( Evgeny_CD(1 знак., 03.12.2021 17:33, ссылка)
- [Почему SiC надо закрывать отрицательным напряжением] - апноут Infineon. Не очень понятно, но интересно :) Evgeny_CD(61 знак., 03.12.2021 16:19, ссылка)
- Не любые, на днях читал про каскодные SiC, снизу низковольтный
МОСФЕТ стоит. Фирму не помню, Не в топе известных. - Visitor(03.12.2021 16:48)
- Вот она. Конечно, к каскодам это не относится. Evgeny_CD(1 знак., 03.12.2021 17:17, ссылка)
- Не любые, на днях читал про каскодные SiC, снизу низковольтный
МОСФЕТ стоит. Фирму не помню, Не в топе известных. - Visitor(03.12.2021 16:48)
- [GeneSiC Semiconductor] Диоды, транзюки. Для примера 3300V транзюки. Крок, для тебя Evgeny_CD(2 знак., 18.11.2021 00:10, ссылка, ссылка)
- Я доволен! - Kpoк(18.11.2021 06:49)
- Нечто нетривиальное. Биполярные транзисторы по технологии SiC.
Похоже, очень хорошая линейность. Напряжение насыщения, правда, не
радует - 3.4V Evgeny_CD(1 знак., 18.11.2021 01:00, ссылка)
- Когда управляешь тысячей вольт, жалкие 3-5 вольт остатка не должны
волновать. - Kpoк(18.11.2021 06:51)
- А избыточное тепло? - teap0t(18.11.2021 09:33)
- Если вы коммутируете 1 Ампер при напруге 1000 Вольт, то в нагрузке
будет 500 Ватт в среднем. И что вам те 2-3 Ватта на транзисторе? - Kpoк(18.11.2021 23:43)
- Если вы работаете в ключевом режиме, а указанные вами цифры другого
не предполагают, то с обычным транзистором вы получите 0.5V@1A =
0.5W, а с новым вариантом 3V@1A=3W. Разница в наличии или
отсутствии радиатора, что иногда очень существенно. А в
специзделиях избыточное тепло может создать изрядные проблемы. - teap0t(19.11.2021 09:21)
- Это уже жлобство - коммутируя киловатт, заботиться о трёх Ваттах. - Kpoк(19.11.2021 09:33)
- В радиолюбительстве - жлобство, в производстве - оптимизация, на
космическом аппарате придётся излучать в пространство, Евгений не
даст соврать. - teap0t(19.11.2021 10:31)
- Я - радиолюбитель (с) Э. Кренкель. - Kpoк(20.11.2021 12:08)
- У меня сходная самооценка, но надо же расти над собой. - teap0t(22.11.2021 09:40)
- Я - радиолюбитель (с) Э. Кренкель. - Kpoк(20.11.2021 12:08)
- В радиолюбительстве - жлобство, в производстве - оптимизация, на
космическом аппарате придётся излучать в пространство, Евгений не
даст соврать. - teap0t(19.11.2021 10:31)
- Это уже жлобство - коммутируя киловатт, заботиться о трёх Ваттах. - Kpoк(19.11.2021 09:33)
- Согласился. Но осталось понять, где биполярник получит
преимущества. HiFi audio, драйвер электростатической колонки? - Evgeny_CD(19.11.2021 00:39)
- Иногда главным преимуществом становится его наличие. Больше транзисторов, хороших и разных (лозунг)! - Kpoк(19.11.2021 06:42)
- Если вы работаете в ключевом режиме, а указанные вами цифры другого
не предполагают, то с обычным транзистором вы получите 0.5V@1A =
0.5W, а с новым вариантом 3V@1A=3W. Разница в наличии или
отсутствии радиатора, что иногда очень существенно. А в
специзделиях избыточное тепло может создать изрядные проблемы. - teap0t(19.11.2021 09:21)
- А Крок у нас велик, что ему лишняя сотня Вт тепла :) - Evgeny_CD(18.11.2021 11:20)
- Откуда сотня-то? - Kpoк(19.11.2021 00:09)
- Если вы коммутируете 1 Ампер при напруге 1000 Вольт, то в нагрузке
будет 500 Ватт в среднем. И что вам те 2-3 Ватта на транзисторе? - Kpoк(18.11.2021 23:43)
- А избыточное тепло? - teap0t(18.11.2021 09:33)
- Когда управляешь тысячей вольт, жалкие 3-5 вольт остатка не должны
волновать. - Kpoк(18.11.2021 06:51)
- Можно добавлю про программируемые драйвера для SiC? Илья(300 знак., 14.05.2021 11:42, ссылка, ссылка)
- [SiC <-> IGBT] в категории полумостовых модулей 1200V 300...450A IGBT совсем не устарели. Evgeny_CD(1162 знак., 28.04.2021 22:41, ссылка, ссылка)
- Свежие IGBT от OnSemi. У кого напряжение открытого 1.4В (вместо обычного 1.7...1.8), у кого энергия одного цикла переключения 8 мДж при токе 30А. Причем требуют совсем нефантастических драйверов. КЗ 5мкс два из трех. Evgeny_CD(1 знак., 22.03.2023 18:00, ссылка)
- Но-но, полегче! Возьмем Infineon FS03MR12A6MA1B 6-ключей 1200V 400A
2.75 mΩ - ищем в даташите Short circuit data = 3 мкс для 800V - за
это время в случае КЗ мы должны вырубится. Любой вменяемый драйвер
SiC типа UCC21750 / ADuM4146 c функцией DESAT сделает это за
500-700 нс, причем с Soft-off. Да SiC менее устойчивы к КЗ (это вы
еще GaN не видели) и требуют соответственной схемотехники, но по
параметрам кроют IGBT как бык овцу. Единственное цена на них... - Chip_n_Go(29.04.2021 00:52, )
- У этого "сшестеренного" энергия переключения весьма большая. Как
они достигли стойкости к КЗ - не понимаю. У IGBT к усиления не
хватает быть открытым при большом токе. А здесь не понимаю. Что
такое DESAT применительно к полевику тоже не понимаю. - Evgeny_CD(29.04.2021 01:47)
- Смотреть
training.ti.com/zh-tw/how-protect-sic-mosfets-best-way?cu=1134585 - Chip_n_Go(29.04.2021 14:40, )
- Спасибо - Evgeny_CD(29.04.2021 15:44)
- У них тоже есть нечто похожее на насыщение. При перегрузках они
переходят в режим источника тока, ток определяется текущим
напряжением затвор-исток. тем более что термостабильность этого
"коэффициета передачи" у SiC гораздо выше, чем у простых мосфетов. - Yurasvs(29.04.2021 09:16)
- Спасибо! Надо документ какой-нибудь найти - Evgeny_CD(29.04.2021 09:47)
- Смотреть
training.ti.com/zh-tw/how-protect-sic-mosfets-best-way?cu=1134585 - Chip_n_Go(29.04.2021 14:40, )
- У этого "сшестеренного" энергия переключения весьма большая. Как
они достигли стойкости к КЗ - не понимаю. У IGBT к усиления не
хватает быть открытым при большом токе. А здесь не понимаю. Что
такое DESAT применительно к полевику тоже не понимаю. - Evgeny_CD(29.04.2021 01:47)
- F3L200R12N2H3B47BPSA1 - IGBT 150A очень быстрый, $260 десяток. Трехуровневый! КЗ 10 мкс держит! Evgeny_CD(29.04.2021 00:13, ссылка)
- MG12300 энергия переключения в нагретом состоянии при токе 300А
20+37+24=81мДж. При частоте 20кГц динамические потери 1620Вт на
каждом из трех полумостов. Прибавьте сюда статические. Какие 99,
2%? Эти модули обычно юзают вообще на 3кГц, писк мотора стоит
неимоверный. У SiC в тех же условиях динпотери почти вчетверо
меньше. - Yurasvs(28.04.2021 23:19)
- Квазирезонансную схему переключения мутить надо. ZVS, ZCS всякие. - Evgeny_CD(28.04.2021 23:53)
- В трехфазных инверторах мягкое переключение сделать довольно
сложно, потому его и не делают. Встречал схемы 90х годов с
дополнительными ключами небольшой мощности, сложно в управлении и
конструктиве. - Yurasvs(29.04.2021 00:07)
- Только кастомный контроллер на FPGA лепить. - Evgeny_CD(29.04.2021 00:09)
- В трехфазных инверторах мягкое переключение сделать довольно
сложно, потому его и не делают. Встречал схемы 90х годов с
дополнительными ключами небольшой мощности, сложно в управлении и
конструктиве. - Yurasvs(29.04.2021 00:07)
- 220В 300А это, если калькулятор не врет, 66 КВт. 1-(1620/66000)=КПД 97,5%. С учетом статических потерь 0.8% имеем 96,7% по коммутационным элементам. Я бы не сказал, что это очень плохо. (ну там еще потери на всем остальном будут, но в 95% влезть можно). Зато лом держит! - Evgeny_CD(28.04.2021 23:48)
- Квазирезонансную схему переключения мутить надо. ZVS, ZCS всякие. - Evgeny_CD(28.04.2021 23:53)
- По мотивам - Evgeny_CD(28.04.2021 22:44, ссылка)
- [Cree] 1200V, 760A DC, 1.33 ... 2.13 мОм канал, полумост, $3,188.55 :)
Причем я бы не сказал, что цена безумная. Evgeny_CD(198 знак., 29.10.2020 22:35, ссылка)
- Очень интересные готовые дизайны от Cree/Wolfspeed. Транзисторы в них не так и дороги. Трансформаторы там интересные. Evgeny_CD(63 знак., 14.05.2021 00:44, ссылка, ссылка)
- C3M0120065J, C3M0120065K, C3M0120065D - 650V, 22A, 120 мОм розница склад DigiKey - $4.45 Evgeny_CD(15 знак., 14.05.2021 00:41, ссылка, ссылка)
- Коллега, ну 760 Ампер. Мегаватт коммутируемой мощности. Кому из нас
такое интересно? Нельзя ли 3000 В и 1 А? Даже 0.5А - Kpoк(30.10.2020 11:41)
- Я уже давал тебе ссылки на такие транзисторы. - Evgeny_CD(30.10.2020 11:44)
- [UnitedSiC] Очень и очень интересная фирма. - Evgeny_CD(27.07.2020 02:30, ссылка)
- Апноуты у них очень интересные. - Evgeny_CD(27.07.2020 03:25, ссылка)
- UnitedSiC SiC FET User Guide Evgeny_CD(27.07.2020 03:16, ссылка)
- [SiC Cascode] интересное сочетание цены и свойств Evgeny_CD(322 знак., 27.07.2020 02:53, ссылка, ссылка)
- Фронты у них более быстрые, чем у "просто SiC" - Evgeny_CD(27.07.2020 03:18)
- [SiC JFET Normally-On] Цены не смертельные, 80 мОм от $5. Evgeny_CD(20 знак., 08.04.2020 03:35 - 27.07.2020 02:30, ссылка, ссылка)
- [OnSemi] не самый массовый игрок на рынке, но интересное делает. - Evgeny_CD(27.07.2020 02:27)
- [900V] транзистор, NTHL020N090SC1. 100 - $15.84 - Evgeny_CD(27.07.2020 02:28, ссылка)
- «Микран» с «ТВЭЛом» собираются открыть в Зоне «Северск» фабрику по
производству микроэлектроники на основе нитрида галлия мощностью 3
млрд изделий в год (2025). teap0t(1 знак., 28.07.2022 09:49, ссылка)