Boвa (03.12.2021 21:10, просмотров: 295) ответил Evgeny_CD на [GaN <-> IGBT в классе до 10А.] Старье проигрывает, точнее уже проиграло :) Вот так и происходит
смена поколений.-
- В этом году даже диоды нормальные типа MBR40250G не купить, пришлось на китайские менять. Падение вдвое больше. Да и пофиг, что КПД не 96% а 94% будет. - Visitor(26.03.2023 06:54)
- Сумневаюсь что такое случиться. У IGBT был один плюс. Это возможность парааллелить много ячеек внутри без доп.технических приёмов. Изготавливаются кирпичики на тысячи ампер и U=600В. Их основная ниша-НЧ преобр-я техника (типа ЧРП, преоб-ли РЖД). Смогут ли более сов-е технологии потеснить кирпичи-покажут следующие десятилетия. Пока цены кусачие, а для РФ-ян ещё актуален фактор доступности. - saifullin(26.03.2023 04:42)
- Спасибо. В принципе, ты прав. По факту есть устоявшиеся понятия, что IGBT - это отдельный сорт кремниевых транзисторов. SiC - они могут быть целых трех видов: FET, JFET и биполярный. - Evgeny_CD(03.12.2021 21:49)