[GaN <-> IGBT в классе до 10А.] Старье проигрывает, точнее уже проиграло :) Вот так и происходит
смена поколений. В рамках топика про высоковольтные маломощные БП решил поискать, что есть путного из маломощных 1200В быстрых (25+ КГц) IGBT.
https://caxapa.ru/1150854.html
Ответ - ничего! Маломощные (до 10А) IGBT либо сняты с производства, либо даже 10 КГц для них много, либо хоть и производятся, но доступны через какие-то мутные конторы в "оптовых" количествах аж 260 шт и проч.
Мощные IGBT на 20+А лежат на складах, но там уже стоимость совсем не "$2", и динамические потери очень существенные.
Зато GaN цветут и пахнут.
Вот 3 примерно одинаковые по параметрам GaN 1200V. Все на складе DigiKey.
G3R350MT12D 100 - $3.84 - просто дешево и сердито.
UF3C120400K3S 100 - $5.05 - каскод от UnitedSiC, по совокупности "не очень"
IMW120R350M1HXKSA1 100 - $5.65 - чемпион от Infineon! КЗ 3 мкс! Можно управлять только "0" и "+", очень маленькие динамические потери, FlyBack можно на 200Кгц замутить, если найти годный феррит.
На таких транзисторах можно сделать FlyBack 50-450В АС с мощностью десятки Вт. Если у нас есть хоть одна фаза из трех, то мы запитаем наш блок автоматики :) БП будет довольно "шумный", но можно сделать финт ушами. Взять провод в тройной изоляции и намотать обмотку в несколько проводов, соединяя концы последовательно-параллельно. Индуктивность рассеяния будет небольшая, выбросы можно задавить с разумными потерями КПД. А на выходе поставить нерегулируемый двухтактник с разнесенными по кольцу обмотками, или простенький LLC. Будет малая проходная емкость.
G3R350MT12D.pdf
DS_UF3C120400K3S.pdf
Infineo…-v02_02-EN.pdf
Evgeny_CD, Архитектор (03.12.2021 16:46, просмотров: 543) ответил Evgeny_CD на [SiC] транзисторы. Сводный системный.