caxapa.ru :: Но-но, полегче! Возьмем Infineon FS03MR12A6MA1B 6-ключей 1200V 400A 2.75 mΩ - ищем в даташите Short circuit data = 3 мкс для 800V - за это время в случае КЗ мы должны вырубится. Любой вменяемый драйвер SiC типа UCC21750 / ADuM4146 c функцией DESAT сделает это за 500-700 нс, причем с Soft-off. Да SiC менее устойчивы к КЗ (это вы еще GaN не видели) и требуют соответственной схемотехники, но по параметрам кроют IGBT как бык овцу. Единственное цена на них...

Chip_n_Go (29.04.2021 00:52, просмотров: 5) ответил Evgeny_CD на [SiC <-> IGBT] в категории полумостовых модулей 1200V 300...450A IGBT совсем не устарели.

Но-но, полегче! Возьмем Infineon FS03MR12A6MA1B 6-ключей 1200V 400A 2.75 mΩ - ищем в даташите Short circuit data = 3 мкс для 800V - за это время в случае КЗ мы должны вырубится. Любой вменяемый драйвер SiC типа UCC21750 / ADuM4146 c функцией DESAT сделает это за 500-700 нс, причем с Soft-off. Да SiC менее устойчивы к КЗ (это вы еще GaN не видели) и требуют соответственной схемотехники, но по параметрам кроют IGBT как бык овцу. Единственное цена на них...

- У этого "сшестеренного" энергия переключения весьма большая. Как они достигли стойкости к КЗ - не понимаю. У IGBT к усиления не хватает быть открытым при большом токе. А здесь не понимаю. Что такое DESAT применительно к полевику тоже не понимаю. - Evgeny_CD(29.04.2021 01:47)
  - Смотреть training.ti.com/zh-tw/how-protect-sic-mosfets-best-way?cu=1134585 - Chip_n_Go(29.04.2021 14:40, )
    - Спасибо - Evgeny_CD(29.04.2021 15:44)
  - У них тоже есть нечто похожее на насыщение. При перегрузках они переходят в режим источника тока, ток определяется текущим напряжением затвор-исток. тем более что термостабильность этого "коэффициета передачи" у SiC гораздо выше, чем у простых мосфетов. - Yurasvs(29.04.2021 09:16)
    - Спасибо! Надо документ какой-нибудь найти - Evgeny_CD(29.04.2021 09:47)

Схемы, платы, компоненты