caxapa.ru :: Там перечислены три основных фактора, связанные с тем, что со временем затвор транзистора ячейки памяти течь начинает.

rezident (16.11.2021 18:28, просмотров: 214) ответил Лaгyнoв на то есть всё то же - увеличение времени стирания (к примеру).

Там перечислены три основных фактора, связанные с тем, что со временем затвор транзистора ячейки памяти течь начинает.

Ответить

- Граммар-наци негодует: затвор не течет, а падает сопротивление изоляции затвора. Как результат со временем нолики превращаются в единички. - BlackMorda(18.11.2021 19:59)
  - Механизм "износа" eeprom памяти в большинстве случаев представляет собой неустранимый charge trapping на плавающем затворе транзистора. Т.е. проводится попытка erase, а на затворе все равно присутствует заряд. Таким образом, механизм "износа" обратен - нестираемый '0'. Если присутствует утечка, то это не износ, это дефект производста. Ячейка или не может быть запрограммирована, или вскорости теряет свое состояние с '0' на '1'. Неустранимый со временем заряд возникает в RxTx(228 знак., 18.11.2021 20:37)
    - Странно. Электроны накапливаются в диэлектрике и не удаляются электрическим полем? Ну ладно, Лагунов разберется и предоставит отчет. :-) - BlackMorda(18.11.2021 20:41)
      - а мне всегда казалось, что оно наоборот, после тыщ управляемых пробоев диэлектрика настолько ломало диэлектрику целостность, что заряды должны были бы стекать не задерживаясь. - Mahagam(18.11.2021 22:26)
        
        Всё бы вам целостность ломать... ^_^ - RxTx(18.11.2021 22:30)

ARM, RISC-V контроллеры