BlackMorda, мудак (18.11.2021 20:41, просмотров: 192) ответил RxTx на Механизм "износа" eeprom памяти в большинстве случаев представляет
собой неустранимый charge trapping на плавающем затворе
транзистора. Т.е. проводится попытка erase, а на затворе все равно
присутствует заряд. Таким образом, механизм "износа" обратен -
нестираемый '0'. Если присутствует утечка, то это не износ, это
дефект производста. Ячейка или не может быть запрограммирована, или
вскорости теряет свое состояние с '0' на '1'. Неустранимый со
временем заряд возникает в-
- а мне всегда казалось, что оно наоборот, после тыщ управляемых
пробоев диэлектрика настолько ломало диэлектрику целостность, что
заряды должны были бы стекать не задерживаясь. - Mahagam(18.11.2021 22:26)
- Всё бы вам целостность ломать... ^_^ - RxTx(18.11.2021 22:30)
- а мне всегда казалось, что оно наоборот, после тыщ управляемых
пробоев диэлектрика настолько ломало диэлектрику целостность, что
заряды должны были бы стекать не задерживаясь. - Mahagam(18.11.2021 22:26)