caxapa.ru :: Механизм "износа" eeprom памяти в большинстве случаев представляет собой неустранимый charge trapping на плавающем затворе транзистора. Т.е. проводится попытка erase, а на затворе все равно присутствует заряд. Таким образом, механизм "износа" обратен - нестираемый '0'. Если присутствует утечка, то это не износ, это дефект производста. Ячейка или не может быть запрограммирована, или вскорости теряет свое состояние с '0' на '1'. Неустранимый со временем заряд возникает в

RxTx (18.11.2021 20:37, просмотров: 294) ответил BlackMorda на Граммар-наци негодует: затвор не течет, а падает сопротивление изоляции затвора. Как результат со временем нолики превращаются в единички.

Механизм "износа" eeprom памяти в большинстве случаев представляет собой неустранимый charge trapping на плавающем затворе транзистора. Т.е. проводится попытка erase, а на затворе все равно присутствует заряд. Таким образом, механизм "износа" обратен - нестираемый '0'. Если присутствует утечка, то это не износ, это дефект производста. Ячейка или не может быть запрограммирована, или вскорости теряет свое состояние с '0' на '1'. Неустранимый со временем заряд возникает в

подзатворном диэлектрике SiO2 (если не используется другой) и это болезнь всех eeprom. Macronix еще в 2012 предлагала конструкцию памяти где ячейки самовосстанавливаются отжигаясь теплом, увеличив циклы памяти с 10тыс до 100млн.

Спасибо, князь. Вы настоящий дворянин. И программист.

Ответить

- Странно. Электроны накапливаются в диэлектрике и не удаляются электрическим полем? Ну ладно, Лагунов разберется и предоставит отчет. :-) - BlackMorda(18.11.2021 20:41)
  - а мне всегда казалось, что оно наоборот, после тыщ управляемых пробоев диэлектрика настолько ломало диэлектрику целостность, что заряды должны были бы стекать не задерживаясь. - Mahagam(18.11.2021 22:26)
    - Всё бы вам целостность ломать... ^_^ - RxTx(18.11.2021 22:30)

ARM, RISC-V контроллеры