Современные биполярные транзисторы, наверняка, все эпитаксиальные.
Имеется ввиду, что на низкоомной кремниевой подложке метолом
эпитаксии выращен высокомощный кремний нужной толщины. Далее
диффузией или ионной имплантацией изготавливаются области базы и
эмиттера. Поскольку переходы базы и эмиттера выходят на поверхность
кристалла, транзистор называется эпитаксиальнопланарным. Эсли
область базы выполнить эпитаксией, будет транзистор с
эпитаксиальноц базой. Для обеспечения высокого пробивного напряжения и малых утечек применяется Меза травление. Если мне память не изменяет, по такой технологии были выполнены КТ209 и ещё какие-то транзисторы. При этом со временем изготовителю эта канитель надоела и он погнал транзисторы по эпитаксиальнопланарной технологии.
