caxapa.ru :: 60мА 8В это на мой взгляд много. Я бы попытался найти кто греется. Конденсатор С3 на рис. 2 какой, тантал, керамика? R3 какой номинал стоит? Митсубиси рекомендует ставить 0,5

NGK (18.07.2008 12:16, просмотров: 146) ответил De_User на В конструкции с мостовым инвертором на базе IR2112S/2113S и MOSFET (out 60V 5A), которая выпускается уже >3 лет, у 2х экз. произошёл отказ IR211x. Результат: потребление свыше 60мА по питанию 12В, защита ограничила напр. до 8В и схема не запускается

60мА 8В это на мой взгляд много. Я бы попытался найти кто греется. Конденсатор С3 на рис. 2 какой, тантал, керамика? R3 какой номинал стоит? Митсубиси рекомендует ставить 0,5 - 3Ом для таких резисторов.

Ответить

- керамика 4,7мкф 50В Y5V. R3 = 33 Ом. Номинальное потребление - около 20...25 мА @ 12В, т.е. 60 мА @ 8В это уже отказ. - De_User(18.07.2008 12:29)
  - 20 - 25 мА это при идущем ШИМ? Частота работы какая? 8В это измерено тестером или по осциллографу? ШИМ-контроллер питается от 12В? NGK(342 знак., 18.07.2008 13:01)
    - ШИМ контроллер работает. 99.9% что выход из строя IR211x. Вопрос, что делать чтобы не палить одну за другой, а найти причину. - De_User(18.07.2008 14:33)
      - ИМХО 33Ом для ограничения тока заряда конденсатора это много, я бы ставил не больше 10. NGK(287 знак., 18.07.2008 14:59)
        
        Если ШИМ выключить, то напряжение по прежнему 8В? Разницы нет, 8.35...8.42В. - De_User(18.07.2008 15:25)
        
        На затворах ничего, т.к. IR211x не включаются - защита от низкого напряжения работает. - De_User(18.07.2008 15:26)
        
        В 2004-2005 г. решили увеличить ёмкость и номинал резистора, чтобы при помехе типа "иголки" bootstrap конденсатор не успел до 25В и выше зарядиться. А частота моста достаточно низкая, < 20 кГц. - De_User(18.07.2008 15:16)
        
        Пока из идей только поставить стабилитрон на 15-16В 1W на питание 12В, а также 2 стабилитрона на 18В, параллельно каждому bootstrap конденсатору (4,7мкф). Естественно, после замены IR211x. - De_User(18.07.2008 16:13)
        
        Как вариант поставить по диоду анодом на HO катодом на VB. Но мне кажеться, что при перенапряжении в питании драйвера верхнего ключа пробило бы и затвор верхнего МОП-тр-ра. Далее везде. - NGK(18.07.2008 16:04)
        
        Диод анодом к выв.5 (VS), катодом к выв.2 (COM) цепь "GND источника питания" установлен. По идее, он не должен позволять зарядиться bootstrap конденсатору выше чем 12+1В. - De_User(18.07.2008 16:37)
        
        Если речь о диоде D1А рис. 5, то он не дает напряжению средней точки моста упать ниже 0В NGK(460 знак., 18.07.2008 17:26)
        
        2 NGK: СПАСИБО! Советы очень помогли! Заработало! De_User(410 знак., 18.07.2008 21:43)
        
        Рад за Вас. Успехов. - NGK(21.07.2008 09:51)
        
        Почему-то MOSFET оказываются устойчивее. Хотя был случай, что после случайной подачи питания >30В 50мА пробило оба драйвера IR211x и 4 MOSFET. - De_User(18.07.2008 16:20)

Схемы, платы, компоненты