Вход
Наше всё
Теги
codebook
无线电组件
Поиск
Опросы
Закон
Пятница
29 ноября
О смысле всего сущего
0xFF
Средства и методы разработки
Мобильная и беспроводная связь
Блошиный рынок
Объявления
Микроконтроллеры
PLD, FPGA, DSP
AVR
PIC
ARM, RISC-V
Технологии
Кибернетика, автоматика, протоколы
Схемы, платы, компоненты
Схемы, платы, компоненты
1286127
Топик полностью
NNNN
(22.02.2023 15:12, просмотров: 4)
ответил
ЫЫyкпy
на
Есть такая неприятная вещь при запирании диодов - обратное восстановление (reverse recovery). Импульсный ток через диод в этот момент может быть в десятки раз больше рабочего. Лучший способ борьбы это применение таких топологий преобразователей где диоды запираются "мягко", за счет плавного уменьшения тока через них до 0, а не мгновенно, со всей дури, с большим di/dt.
Если этот диод такой вредный, а в MOSFET он паразитно-встроенный, зачем тогда в инверторах IGBT шунтируют внешними диодами?
В IGBT встроенного диода нет, но IGBT не умеет проводить ток в обратном направлении, а это иногда нужно, приходится им в параллель диоды подключать.
ЫЫyкпy
(357 знак., 22.02.2023 16:21
)
Да нет..
Solo
(1 знак., 22.02.2023 16:35
,
ссылка
)