В IGBT встроенного диода нет, но IGBT не умеет проводить ток в
обратном направлении, а это иногда нужно, приходится им в параллель
диоды подключать. В MOSFET же диод паразитно-встроенный, поэтому от него никак не избавиться, а вредный он от того что диоды эти обычно медленные и с огромным Qrr. Да ещё и прямое падение напряжения на них обычно меньще чем на быстром диоде. По этой причине просто подключить к MOSFET быстрый (с маленьким trr) внешний диод не поможет, ток пойдет в основном через внутренний.