ВходНаше всё Теги codebook 无线电组件 Поиск Опросы Закон Пятница
29 ноября
О смысле всего сущего0xFF Средства и методы разработки Мобильная и беспроводная связь Блошиный рынокОбъявления
МикроконтроллерыPLD, FPGA, DSP AVRPICARM, RISC-VТехнологии Кибернетика, автоматика, протоколы Схемы, платы, компоненты
1286145 Топик полностью
ЫЫyкпy (22.02.2023 16:21, просмотров: 164) ответил NNNN на Если этот диод такой вредный, а в MOSFET он паразитно-встроенный, зачем тогда в инверторах IGBT шунтируют внешними диодами?
В IGBT встроенного диода нет, но IGBT не умеет проводить ток в обратном направлении, а это иногда нужно, приходится им в параллель диоды подключать. 

В MOSFET же диод паразитно-встроенный, поэтому от него никак не избавиться, а вредный он от того что диоды эти обычно медленные и с огромным Qrr. Да ещё и прямое падение напряжения на них обычно меньще чем на быстром диоде. По этой причине просто подключить к MOSFET быстрый (с маленьким trr) внешний диод не поможет, ток пойдет в основном через внутренний.

Жизнь есть способ существования белковых тел в борьбе со вторым началом термодинамики.
Ответить