=mse= (05.08.2004 11:59, просмотров: 1) ответил =L.A.= на Тем более, что диффузия вредна для изоляции p-n переходом, а нынче в микросхемах применяют изоляцию транзисторов поликремнием или SiO2 или какие другие извраты.-
- Голому переходу (т.е. диоду) - почти никак, но... =AK=(146 знак., 05.08.2004 15:48)
- хе-хе-хе ;О) Эмиттерная диффузия - самая последняя, самая контролируемая. И у полевиков контактные(стоково-истоковые) области тоже последние. Кстати, там... =mse=(115 знак., 05.08.2004 16:22)
- "Предупреждать надо!" (с) =AK=(64 знак., 06.08.2004 14:53)
- хе-хе-хе ;О) Эмиттерная диффузия - самая последняя, самая контролируемая. И у полевиков контактные(стоково-истоковые) области тоже последние. Кстати, там... =mse=(115 знак., 05.08.2004 16:22)
- Ну так он, переход изза диффузии перемещается+размывается граница ( что ухудшает его свойства ). Но это всё технология 30-ти летней давности, сейчас , думаю, даже на Ангстреме что то более новое. - =L.A.=(05.08.2004 13:52)
- Да нет, ничего там не ухудшается при располании... =mse=(207 знак., 05.08.2004 14:10)
- Голому переходу (т.е. диоду) - почти никак, но... =AK=(146 знак., 05.08.2004 15:48)