Ответ: Обратите внимание на микроскопические постоянные времени (милли * микро).
Вот как моделирует внутреннюю температурную структуру обеднённых MOSFET'ов фирма Infineon:
.....
Rth1 Tj t1 {624.77m+limit(Zthtype,0,1)*231.23m}
Rth2 t1 t2 {2.85+limit(Zthtype,0,1)*1.06}
Rth3 t2 t3 {5.96+limit(Zthtype,0,1)*781.17m}
Rth4 t3 t4 {68.15+limit(Zthtype,0,1)*58.03}
Rth5 t4 Tcase {79.56+limit(Zthtype,0,1)*67.75}
Cth1 Tj 0 10.376u
Cth2 t1 0 17.965u
Cth3 t2 0 180.456u
Cth4 t3 0 374.154u
Cth5 t4 0 4.696m
.....
.....
G_TH 0 Tj VALUE = {heat*LIMIT(I(V_sense)*V(dd,s),0,100k)}
.....
В тепловой модели - мы видим цепочку СRC-звеньев от кристалла к окружающей среде. Начиная с теплоёмкости активной зоны кристалла Cth1 при температуре Tj, сопротивления между активной зоной и массой кристалла и теплоёмкостью всей массы кристалла(?) - Rth1*Cth2 и т.д., заканчивая сопротивлением и теплоёмкостью наружной металлической пластины корпуса - Rth5*Cth5 при температуре Tcase.
В электрической - видим генерацию входного сигнала для этой цепочки из мгновенной мощности.
https://kazus.ru/forums/showthread.php
Toчкa oпopы (14.09.2023 20:16, просмотров: 103) ответил Adept на согласен, особенно для мутных китайских "реплик" (значит надоть
снижать входное напряжение, хотя, при правильной топологии
кристалла и должном теплоотводе в подложку, все эти локальные
"плотности мощности" благополучно размазываются по объёму материала
и не вызывают (не должны, по крайней мере) локального перегрева.