IBAH (07.07.2024 18:21, просмотров: 55) ответил Visitor на Завтра могу схему подкинуть, результат всю электронику смешной
делает, для формирования DT 3..4 гейта 74LVC1G14 достаточно.-
- А самое тупое решение не пробовали? Зашунтировать диодами быстрее. - Visitor(07.07.2024 19:39)
- Не факт что поможет. У быстрых диодов как правило больше прямое падение напряжения. В результате ток всё равно пойдёт через встроенные диоды, а подключенные снаружи останутся бесполезными. - ЫЫyкпy(07.07.2024 23:00)
- А это как? - Solo(07.07.2024 19:47)
- IKW15T120: IGBT in TrenchStop® and Fieldstop technology with soft, fast recovery anti-parallel Emitter Controlled HE diode. Также наблюдал в DS на FDS6690AS: 30V N-Channel PowerTrench® SyncFETTM. The FDS6690AS is designed to replace a single SO-8 MOSFET and Schottky diode. - Toчкa oпopы(07.07.2024 22:51)
- А чего удваивается? Как это? - Solo(07.07.2024 19:19)
- Еще хитрые снабберы бывают, но моя попытка использовать такой салютом закончилась. - Visitor(07.07.2024 18:34)
- А самое тупое решение не пробовали? Зашунтировать диодами быстрее. - Visitor(07.07.2024 19:39)