На обычных мосфетах способов мало, и все они не очень эффективны.
Специально затягивают время открывания, сохраняя время закрывания
быстрым. В низковольтных схемах можно зашунтировать мосфет диодом
Шоттки, у которого прямое падение напряжения меньше, чем у диода,
встроенного в мосфет. На высоких напряжениях (более 150...200В) это
не работает, высоковольтные диоды Шоттки имеют падение более 0.6В.
В древних схемах делали целый огород, ставили последовательно с
мосфетом мощный низковольтный диод Шоттки, и всю эту цепочку шунтировали быстрым высоковольным обратным диодом. Естественно, КПД такой схемы не очень. Поэтому до недавнего времени в высоковольтных схемах царствовали ИЖБТ, которые оснащены быстрыми обратными диодами. Сейчас многое поменялось. Появились карбидкремниевые мосфеты, обратный диод которых намного быстрее, чем в классических, что позволяет оставить ИЖБТ далеко позади. На все же небольшой заряд обратного восстановления там есть, и наилучшие результаты получаются, если зашунтировать карбидкремниевый мосфет сравнительно маломощным карбидкремниевым диодом. Большое падение напряжения на этом диоде в прямом направлении не должно смущать, ибо он работает только в течение мертвого времени, а затем шунтируется мосфетом. Отличные результаты дают каскодные транзисторы United SiC. GaN круто, но очень дорого, и весьма жесткие требования к качеству разводки печатных плат, поэтому пока не получили большого распространения.
Yurasvs (08.07.2024 08:16, просмотров: 111) ответил IBAH на Существуют ли сравнительно честные способы борьбы с импульсом тока
вызванным восстановлением обратного диода? в ШИМ мосте на мосфетах
с индуктивной нагрузкой, например, асинхронник или двигатель
постоянного тока. Например, если сделать мертвое время меньше
времени восстановления, заряд не успеет накопится и восстанавливать
диод не придется